期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
f_(max)─载流子迁移率关系在高频HBT设计中的意义
1
作者
陈福荫
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期121-126,共6页
在导出HBT的最高振荡频率与载流子迁移率关系的基础上[1],指出了多子在影响频率性能方面与少子同样重要,呈现的几何平均关系清楚地揭示出晶体管的“双极”工作原理。在比较Npn和PnpHBT的频率性能中给出了目前少子迁移...
在导出HBT的最高振荡频率与载流子迁移率关系的基础上[1],指出了多子在影响频率性能方面与少子同样重要,呈现的几何平均关系清楚地揭示出晶体管的“双极”工作原理。在比较Npn和PnpHBT的频率性能中给出了目前少子迁移率的选择方法。为了提高计算的正确性,提出应进行深入的少子迁移率测量研究,以能为计算提供系统的、可靠的实验数据。初步估算得出PupHBT的f(max)稍高于或等于Npn的f(max),最后,根据最高振荡频率与载流子迁移率的关系,对高频HBT的最佳设计进行了比较系统的分析。
展开更多
关键词
异质结
双极晶体管
载流迁移率
下载PDF
职称材料
应变调控单层2H-MoS_(2)的能带结构和光学性质
2
作者
张燕
张洁
+1 位作者
颜安
张伟国
《中南民族大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2023年第2期208-215,共8页
为了从电子层面分析应变对能带结构以及光学性质产生影响的机理,采用密度泛函理论研究了应变对单层2H-MoS_(2)能带结构、光学性质、载流子迁移率和光催化分解水的影响.结果表明:晶格拉伸后带隙由2.15 eV减小到了1.65 eV,而晶格压缩后带...
为了从电子层面分析应变对能带结构以及光学性质产生影响的机理,采用密度泛函理论研究了应变对单层2H-MoS_(2)能带结构、光学性质、载流子迁移率和光催化分解水的影响.结果表明:晶格拉伸后带隙由2.15 eV减小到了1.65 eV,而晶格压缩后带隙由2.15 eV增大到2.66 eV.随着拉应变的增大,吸收曲线产生了蓝移,压应变对光学吸收系数的影响刚好相反.电子的载流子迁移率比空穴的大10倍左右,所以光照下电子和空穴能够有效的分离.综合光的吸收系数和光催化制氢条件这两个方面的因素可知,应变在2%、-2%、-6%这三种情况下能够得到最好的光催化制氢效果.
展开更多
关键词
单层2H-MoS_(2)
应变光电子学
光学吸收
载流迁移率
光催化
下载PDF
职称材料
题名
f_(max)─载流子迁移率关系在高频HBT设计中的意义
1
作者
陈福荫
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期121-126,共6页
文摘
在导出HBT的最高振荡频率与载流子迁移率关系的基础上[1],指出了多子在影响频率性能方面与少子同样重要,呈现的几何平均关系清楚地揭示出晶体管的“双极”工作原理。在比较Npn和PnpHBT的频率性能中给出了目前少子迁移率的选择方法。为了提高计算的正确性,提出应进行深入的少子迁移率测量研究,以能为计算提供系统的、可靠的实验数据。初步估算得出PupHBT的f(max)稍高于或等于Npn的f(max),最后,根据最高振荡频率与载流子迁移率的关系,对高频HBT的最佳设计进行了比较系统的分析。
关键词
异质结
双极晶体管
载流迁移率
Keywords
High Frequency HBT,f_(max)-Carrier Mobility Relationship,Base
分类号
TN322.802 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
应变调控单层2H-MoS_(2)的能带结构和光学性质
2
作者
张燕
张洁
颜安
张伟国
机构
山东协和学院工学院
集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区
出处
《中南民族大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2023年第2期208-215,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(52003121)
山东省高等学校青年创新团队发展计划资质项目(2021KJ088)。
文摘
为了从电子层面分析应变对能带结构以及光学性质产生影响的机理,采用密度泛函理论研究了应变对单层2H-MoS_(2)能带结构、光学性质、载流子迁移率和光催化分解水的影响.结果表明:晶格拉伸后带隙由2.15 eV减小到了1.65 eV,而晶格压缩后带隙由2.15 eV增大到2.66 eV.随着拉应变的增大,吸收曲线产生了蓝移,压应变对光学吸收系数的影响刚好相反.电子的载流子迁移率比空穴的大10倍左右,所以光照下电子和空穴能够有效的分离.综合光的吸收系数和光催化制氢条件这两个方面的因素可知,应变在2%、-2%、-6%这三种情况下能够得到最好的光催化制氢效果.
关键词
单层2H-MoS_(2)
应变光电子学
光学吸收
载流迁移率
光催化
Keywords
monolayer 2H-MoS_(2)
strainoptronics
optical absorption
carrier mobility
photocatalytic
分类号
O625.67 [理学—有机化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
f_(max)─载流子迁移率关系在高频HBT设计中的意义
陈福荫
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
下载PDF
职称材料
2
应变调控单层2H-MoS_(2)的能带结构和光学性质
张燕
张洁
颜安
张伟国
《中南民族大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部