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深振荡磁控溅射的脉冲放电特性 被引量：1
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作者 王浩琦 欧伊翔 +3 位作者 华青松 邱马顺 帅麒麟 付薇 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期775-780,共6页
深振荡磁控溅射(Deep Oscillation Magnetron Sputtering,DOMS)通过一系列调制的电压微脉冲振荡波形,能够实现完全消除电弧放电和靶材近全离化,实现高密度、低离子能量和高束流密度的等离子体沉积.本文综述了DOMS的技术原理和深振荡脉... 深振荡磁控溅射(Deep Oscillation Magnetron Sputtering,DOMS)通过一系列调制的电压微脉冲振荡波形,能够实现完全消除电弧放电和靶材近全离化,实现高密度、低离子能量和高束流密度的等离子体沉积.本文综述了DOMS的技术原理和深振荡脉冲放电特性对等离子体离子种类、离子能量的时空演化过程的影响,结果表明,DOMS脉冲参数对靶离化过程的影响遵循电压-时间演变规律,靶离化过程为随短脉冲电压振荡的阶段性离化. 展开更多
关键词 深振荡磁控溅射 载能离子束沉积 脉冲放电特性 离子分布
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