自蔓延辅助闪烧法制备二硼化钛陶瓷的特性研究

将原料Ti粉和B粉(晶体硼)按摩尔比1∶2进行混料,在特定压力性进行材料装填预压,并在样品两端加恒定电压20V,在自蔓延反应温度下完成热压辅助闪烧工艺。制备出导电性良好、致密性良好的TiB2材料。通过材料表征,分析认为在自蔓延辅助闪烧(FS)热压过程实现晶粒重排,晶体的塑性变形与细小颗粒尺寸及致密化优化,该方法为制备功能陶瓷材料提供新的思路。

加压辅助闪烧工艺制备四方相氧化锆

研究了加压辅助闪烧烧结工艺参数(温度、电压、电流、压力)对钇稳氧化锆致密度、微观组织结构和成分组成的影响,该工艺在热压烧结基础上叠加闪烧效应,利用高电场强度使高温导电氧化锆瞬间发生密实化烧结。结果表明:钇稳氧化锆的闪烧临界温度为880℃,在相同的电场强度条件下,闪烧临界温度处烧结可获得最大的闪烧收缩量。氧化锆在临界烧结温度下瞬时放电快速烧结符合焦耳热效应和接触点局部热效应,临界闪烧温度的高峰值功率闪烧易导致样品的组织结构和成分变化,峰值功率应进行控制,即电流强度应低于3 A。