辉光放电发射光谱技术及其在国内钢铁行业中的应用

简单介绍辉光放电发射光谱技术的基础知识及相关书籍情况,重点评述其在国内钢铁行业的应用.国内钢铁行业基体分析涉及中低合金钢、不锈钢、生铁、铸铁、高温合金等;阳极直径4 mm为主,分析元素已达24种,激发功率12～90 W,数据精密度多小于5％;而深度轮廓分析主要涉及镀锌板、镀锡板、彩涂板,氟元素测定和制备电镜样品是其应用的一大亮点.概述辉光放电发射光谱国际标准和国家标准的进展,并对辉光放电发射光谱法、X射线荧光光谱法、电感耦合等离子体原子发射光谱法、火花源原子发射光谱法在低合金钢中多元素测定的重复性和再现性进行比较,数据表明辉光放电原子发射光谱法的重复性值较低,而再现性值偏高.最后对制约辉光放电光谱技术发展的因素进行了探讨.

辉光放电光谱技术及其应用

介绍了辉光放电光谱仪的分析原理、设备构造与性能特点,重点介绍了其在金属材料表面元素含量检测中的应用实例。下一步,辉光放电光谱技术将探索用于铁合金、矿石等粉末状样品的检测。

工作压强对射频辉光放电H_2/C_4H_8等离子状态的影响

利用辉光放电技术采用等离子体质谱诊断的方法研究了不同工作压强下H2/C4H8混合气体等离子体中主要正离子成分及其能量的变化规律,并分析了压强对H2/C4H8混合气体的离解机理以及主要正离子形成过程的影响.结果表明:随着工作压强的增加,碳氢碎片离子的浓度和能量均逐渐减小.当工作压强为5Pa时,H2/C4H8混合气体等离子体中C3H5+相对浓度最大;压强为10Pa时,C3H3+相对浓度最大;压强为15,20Pa时,C2H5+相对浓度最大;压强为25Pa时,C4H9+相对浓度最大.对H2/C4H8等离子体中的主要组分及其能量分布所进行的定性分析,将为H2/C4H8混合气体辉光放电聚合物涂层的工艺参数优化提供参考技术基础.

射频功率对辉光放电H_2/C_4H_8等离子状态的影响

采用辉光放电技术和等离子体质谱诊断技术,研究了H_2/C_4H_8混合气体等离子体中正离子成分及主要正离子能量随射频功率的变化规律,并分析了H_2/C_4H_8混合气体主要的离解机理和形成过程.研究表明:随着射频功率的增加,碳氢碎片离子的浓度增加,在20 W时达到最大值,25 W后有所减小.当射频功率小于10 W时,H_2/C_4H_8混合气体等离子体中C_4H_9^+相对浓度最大,当功率大于或等于10 W时,C_3H_3^+相对浓度最大.随着射频功率的增大,碳氢碎片离子的能量逐渐增加.对H_2/C_4H_8混合气体等离子体的组成与能量进行的定性分析,将为H_2/C_4H_8混合气体辉光放电聚合物涂层工艺参数优化提供参考.

用SiCl_4-H_2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .