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题名偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响
被引量:5
- 1
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作者
何玉娟
恩云飞
师谦
罗宏伟
章晓文
李斌
刘远
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机构
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
华南理工大学微电子研究所
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期166-169,173,共5页
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基金
国家重点实验室基金资助项目(9140C030604070C0304)
国家重点实验室基金资助项目(9140C030601060C0302)
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文摘
采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象。实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件。
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关键词
X射线
总剂量辐射效应
辐射偏置
中带电压法
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Keywords
X-ray
Total-dose irradiation effect
Radiation bias
Midgap separation method
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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题名动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响
被引量:2
- 2
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作者
何玉娟
师谦
罗宏伟
恩云飞
章晓文
李斌
刘远
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机构
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
华南理工大学微电子研究所
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出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期19-22,共4页
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基金
国家十一五预研项目(51323060401)
国家重点实验室基金项目(9140C030604070C0304)资助
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文摘
辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少。
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关键词
X射线
总剂量辐射
辐射偏置
频率
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Keywords
X-ray, Total-dose irradiation effect, Radiation bias, Frequency
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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