BF_2^+注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量

利用亚阈测量技术对BF+2 注入硅栅PMOSFET辐射感生界面陷阱进行了测量。对BF+2 注入PMOSFET具有抑制辐射感生界面陷阱的机理进行了分析和讨论。