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论辐射效应态氢原子电子的概率位移
1
作者
马文宇
《科技资讯》
2020年第9期17-18,共2页
物质产生辐射,各种元素的电子受不同辐射光子的影响都会产生康普顿效应,尽管效应的强度不同。物质元素的电子受辐射时产生了康普顿效应称为辐射效应,产生辐射效应后电子的状态称为辐射效应态。氢原子结构简单,氢原子符合波尔理论,即氢...
物质产生辐射,各种元素的电子受不同辐射光子的影响都会产生康普顿效应,尽管效应的强度不同。物质元素的电子受辐射时产生了康普顿效应称为辐射效应,产生辐射效应后电子的状态称为辐射效应态。氢原子结构简单,氢原子符合波尔理论,即氢原子核外电子具有能级轨道,电子吸收或放出能量会发生轨道跃迁;同时氢原子也遵从量子力学,氢原子核外电子有波函数ψ。辐射效应态下,通过分析氢原子中电子分布的不同位置,应用玻恩概率密度理论,可以求出氢原子的电子辐射效应态沿辐射方向的概率位移。
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关键词
辐射
辐射效应态
氢原子电子
概率密度
概率位移
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职称材料
双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究
2
作者
尹雪松
刘忠立
+1 位作者
李春寄
于芳
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期543-546,共4页
采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。给出了双极晶体管瞬态辐射响应及光电流分流补偿原理,比较了带补偿与不带补偿电路的瞬态响应波形。实验结果对双极晶体管集成电路瞬态辐射加固具有指导意义。
关键词
双极晶体管
瞬
态
辐射
瞬
态
辐射
效应
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职称材料
反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析
被引量:
1
3
作者
刘书焕
郭晓强
+8 位作者
李达
林东生
江新标
朱广宁
陈伟
张伟
周辉
邵贝贝
李君利
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期745-749,共5页
本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10^(13)cm-2的脉冲中子注量和257Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%。辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电...
本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10^(13)cm-2的脉冲中子注量和257Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%。辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小。初步分析了SiGeHBT瞬态中子、γ辐射损伤机理。
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关键词
SIGE
HBT
瞬
态
辐射
效应
反应堆
退火
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职称材料
题名
论辐射效应态氢原子电子的概率位移
1
作者
马文宇
机构
兰州交通大学
出处
《科技资讯》
2020年第9期17-18,共2页
文摘
物质产生辐射,各种元素的电子受不同辐射光子的影响都会产生康普顿效应,尽管效应的强度不同。物质元素的电子受辐射时产生了康普顿效应称为辐射效应,产生辐射效应后电子的状态称为辐射效应态。氢原子结构简单,氢原子符合波尔理论,即氢原子核外电子具有能级轨道,电子吸收或放出能量会发生轨道跃迁;同时氢原子也遵从量子力学,氢原子核外电子有波函数ψ。辐射效应态下,通过分析氢原子中电子分布的不同位置,应用玻恩概率密度理论,可以求出氢原子的电子辐射效应态沿辐射方向的概率位移。
关键词
辐射
辐射效应态
氢原子电子
概率密度
概率位移
分类号
G64 [文化科学—高等教育学]
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职称材料
题名
双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究
2
作者
尹雪松
刘忠立
李春寄
于芳
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期543-546,共4页
文摘
采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。给出了双极晶体管瞬态辐射响应及光电流分流补偿原理,比较了带补偿与不带补偿电路的瞬态响应波形。实验结果对双极晶体管集成电路瞬态辐射加固具有指导意义。
关键词
双极晶体管
瞬
态
辐射
瞬
态
辐射
效应
Keywords
bipolar transistor
transient radiation
dose rate effect
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析
被引量:
1
3
作者
刘书焕
郭晓强
李达
林东生
江新标
朱广宁
陈伟
张伟
周辉
邵贝贝
李君利
机构
清华大学工程物理系
西北核技术研究所
清华大学微电子研究所
出处
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期745-749,共5页
文摘
本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10^(13)cm-2的脉冲中子注量和257Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%。辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小。初步分析了SiGeHBT瞬态中子、γ辐射损伤机理。
关键词
SIGE
HBT
瞬
态
辐射
效应
反应堆
退火
Keywords
SiGe HBT, Transient irradiation effects, Reactor, Annealing
分类号
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
论辐射效应态氢原子电子的概率位移
马文宇
《科技资讯》
2020
0
下载PDF
职称材料
2
双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究
尹雪松
刘忠立
李春寄
于芳
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
3
反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析
刘书焕
郭晓强
李达
林东生
江新标
朱广宁
陈伟
张伟
周辉
邵贝贝
李君利
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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