质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO_2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势垒高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命。