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辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真
1
作者
魏莹
崔江维
+5 位作者
郑齐文
马腾
孙静
文林
余学峰
郭旗
《现代应用物理》
2017年第4期43-47,共5页
利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N沟道MOSFET转移特性的影响。构建了0.18μm N沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况。分...
利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N沟道MOSFET转移特性的影响。构建了0.18μm N沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况。分析了器件浅槽隔离层(shallow trench isolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响。仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段。
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关键词
TCAD仿真
深亚微米MOS器件
总剂量
辐射
效应
辐射陷阱电荷
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职称材料
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究
2
作者
黄柯月
吴中华
+3 位作者
周淼
陈伟中
王钊
周锌
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第4期706-710,共5页
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(F...
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(FOX)。Q_(FOX)增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化。Q_(BOX)降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化。
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关键词
总剂量
辐射
SOI
pLDMOS
击穿电压
辐射陷阱电荷
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职称材料
电离总剂量效应对HfO_(2)栅介质经时击穿特性影响
3
作者
魏莹
崔江维
+4 位作者
蒲晓娟
崔旭
梁晓雯
王嘉
郭旗
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022年第9期903-907,共5页
针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前...
针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前后MOS电容的电流-电压、电容-电压以及经时击穿特性的测试结果。结果显示,不同的辐照偏置条件下,MOS电容的损伤特性不同。正偏辐照下,低栅压下的栅电流显著增大,电容电压特性的斜率降低;零偏辐照下,正向高栅压时栅电流和电容均显著增大;负偏辐照下,栅电流均有增大,正向高栅压下电容增大,且电容斜率降低。3种偏置下,电容的经时击穿电压均显著减小。该研究为纳米MOS器件在辐射环境下的长期可靠性研究提供了参考。
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关键词
电离总剂量效应
高K栅介质
经时击穿效应
辐射陷阱电荷
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职称材料
题名
辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真
1
作者
魏莹
崔江维
郑齐文
马腾
孙静
文林
余学峰
郭旗
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《现代应用物理》
2017年第4期43-47,共5页
文摘
利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N沟道MOSFET转移特性的影响。构建了0.18μm N沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况。分析了器件浅槽隔离层(shallow trench isolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响。仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段。
关键词
TCAD仿真
深亚微米MOS器件
总剂量
辐射
效应
辐射陷阱电荷
Keywords
TCAD
deep submicron MOS devices
TID
radiation-induced trapped charges
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究
2
作者
黄柯月
吴中华
周淼
陈伟中
王钊
周锌
机构
重庆邮电大学光电工程学院
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第4期706-710,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(62004034)。
文摘
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(FOX)。Q_(FOX)增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化。Q_(BOX)降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化。
关键词
总剂量
辐射
SOI
pLDMOS
击穿电压
辐射陷阱电荷
Keywords
total-ionizing-dose effect
SOI pLDMOS
BV
radiation trap charge
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
电离总剂量效应对HfO_(2)栅介质经时击穿特性影响
3
作者
魏莹
崔江维
蒲晓娟
崔旭
梁晓雯
王嘉
郭旗
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院新疆理化技术研究所
中国科学院大学
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022年第9期903-907,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(11805268)
中国科学院“西部青年学者”基金资助项目(2021-XBQNXZ-021)
中国科学院青年创新促进会基金资助项目(2018473)。
文摘
针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前后MOS电容的电流-电压、电容-电压以及经时击穿特性的测试结果。结果显示,不同的辐照偏置条件下,MOS电容的损伤特性不同。正偏辐照下,低栅压下的栅电流显著增大,电容电压特性的斜率降低;零偏辐照下,正向高栅压时栅电流和电容均显著增大;负偏辐照下,栅电流均有增大,正向高栅压下电容增大,且电容斜率降低。3种偏置下,电容的经时击穿电压均显著减小。该研究为纳米MOS器件在辐射环境下的长期可靠性研究提供了参考。
关键词
电离总剂量效应
高K栅介质
经时击穿效应
辐射陷阱电荷
Keywords
total ionizing dose effect
high k gate oxygen dielectric
time-dependent dielectric breakdown
radiation trap charge
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真
魏莹
崔江维
郑齐文
马腾
孙静
文林
余学峰
郭旗
《现代应用物理》
2017
0
下载PDF
职称材料
2
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究
黄柯月
吴中华
周淼
陈伟中
王钊
周锌
《微电子学》
CAS
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
3
电离总剂量效应对HfO_(2)栅介质经时击穿特性影响
魏莹
崔江维
蒲晓娟
崔旭
梁晓雯
王嘉
郭旗
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022
0
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职称材料
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