光电耦合器的辐照损伤机理研究现状及趋势

随着光电耦合器件在空间环境和核辐射领域的广泛应用,近年来对光电耦合器件的抗辐照性能的研究越来越多。文章主要介绍了辐照对光电耦合器的损伤机理,重点介绍了光电耦合器的辐照效应,特别是电参数辐照效应;针对光电耦合器目前研究的情况,分析了其研究趋势,并提出了一种新的光电耦合器辐照研究方法———低频噪声可靠性表征方法。

PbWO_4闪烁晶体的辐照损伤机理研究

完成了６４０—１０４０℃温度范围内钨酸铅［ＰｂＷＯ４（ＰＷＯ）］晶体的退火实验，观察到较低温退火时晶体中本征色心吸收带（３５０ｎｍ）先是增加，其后随退火温度的升高而逐渐降低直至消除的全过程．分析了ＰＷＯ晶体的本征缺陷和电荷补偿机制．讨论了退火过程中氧进入晶体后色心的产生和转化规律，并提出可能发生Ｐｂ３＋→Ｐｂ４＋的进一步氧化过程，从而导致Ｐｂ３＋空穴中心的湮没．测量并比较了不同退火温度处理后ＰＷＯ晶体的紫外辐照诱导色心吸收谱．观察到导致辐照损伤的Ｏ－空穴中心主要来自晶体中固有的Ｐｂ３＋空穴中心向Ｏ－空穴中心的转化；同时晶体中氧空位作为电子陷阱对Ｏ－空穴中心有稳定作用．当上述两项因素得以消除，晶体辐照硬度随之提高．实验表明，在含氧气氛中高温退火可以有效地改进ＰＷＯ晶体的抗辐照损伤能力．

稀土永磁材料辐照效应研究进展

稀土永磁材料以其优异的磁性能而日益得到广泛的应用,人们对其在各种环境下的磁性能稳定性,包括辐照环境下的性能越来越关注.本文对稀土永磁材料的辐照效应研究进行了回顾,包括质子、中子、电子、γ-射线与X-射线辐照的影响,并总结了稀土永磁材料辐照损伤机理方面的研究,指出为提高稀土永磁材料的抗辐照能力,还需深入研究以揭示辐照损伤机理.

TCD132D线阵CCD总剂量效应的实验分析

研究了60Coγ辐照TCD132D线阵CCD的总剂量效应实验结果;分析了CCD受总剂量效应影响后暗信号和饱和输出电压的典型波形;得出了CCD分别在不加偏置电压、加偏置电压加驱动信号和加偏置电压不加驱动信号三种工作状态下,受60Coγ辐照后暗信号电压和饱和输出电压随总剂量累积的变化规律,并进行了损伤机理分析。