基于沟道调制效应、串联电阻效应的考虑 ,首先建立了一个和实验室符合很好的 6H-Si C JFET的模型 ,在该模型中采用了两级电离杂质模型和 Caughey-Thomas方程 ,接着在分析中子辐照对 Si C JFET电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电...基于沟道调制效应、串联电阻效应的考虑 ,首先建立了一个和实验室符合很好的 6H-Si C JFET的模型 ,在该模型中采用了两级电离杂质模型和 Caughey-Thomas方程 ,接着在分析中子辐照对 Si C JFET电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电荷区密度影响的基础上 ,对 Si C JFET在室温和 30 0℃时的辐照响应进行了模拟。展开更多
通过空间带电粒子辐照地面等效模拟实验得到1 Me V和1.8 Me V电子辐照下GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律。根据太阳电池电学参数退化模型,对太阳电池短路电流退化曲线进行非线性分析,建立空间GaAs/Ge太阳电池少数载流子扩散长度损伤系...通过空间带电粒子辐照地面等效模拟实验得到1 Me V和1.8 Me V电子辐照下GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律。根据太阳电池电学参数退化模型,对太阳电池短路电流退化曲线进行非线性分析,建立空间GaAs/Ge太阳电池少数载流子扩散长度损伤系数随入射电子能量变化的基本规律。结果表明,少数载流子扩散长度损伤系数随入射电子能量的增高而增大,这与短路电流退化幅度随电子能量变化规律一致。展开更多
文摘基于沟道调制效应、串联电阻效应的考虑 ,首先建立了一个和实验室符合很好的 6H-Si C JFET的模型 ,在该模型中采用了两级电离杂质模型和 Caughey-Thomas方程 ,接着在分析中子辐照对 Si C JFET电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电荷区密度影响的基础上 ,对 Si C JFET在室温和 30 0℃时的辐照响应进行了模拟。
文摘通过空间带电粒子辐照地面等效模拟实验得到1 Me V和1.8 Me V电子辐照下GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律。根据太阳电池电学参数退化模型,对太阳电池短路电流退化曲线进行非线性分析,建立空间GaAs/Ge太阳电池少数载流子扩散长度损伤系数随入射电子能量变化的基本规律。结果表明,少数载流子扩散长度损伤系数随入射电子能量的增高而增大,这与短路电流退化幅度随电子能量变化规律一致。