声光可调滤光器的辐照特性研究

该文介绍了声光可调滤光器器件及器件中的关键材料——声光介质氧化碲晶体与换能器铌酸锂晶体的辐照特性。辐照实验采用中子辐照(中子注量1.5×10^(12)n/cm^(2)@1MEV等效电子)和电离辐照(总剂量6×10^(3)Gy(Si))。采用高分辨X线衍射(HRXRD)分析了氧化碲与铌酸锂晶体,分析显示辐照前后两种晶体的X线衍射峰无变化,表明它们的晶格常数无变化,但其摇摆曲线变宽,表明它们吸收的辐照能量使晶体内部应力增大。采用阻抗分析仪测试了辐照前后铌酸锂的机电耦合系数,测试表明辐照使机电耦合系数降低了约1%。采用1064 nm等4种波长的激光测试了声光可调滤光器器件的滤光功能和衍射效率,测试表明滤光功能正常,辐照使衍射效率下降了约2%。因此,辐照对声光可调滤光器影响较小,适合辐照条件下的深空探测。

采用CoSi_2SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究

讨论了 Co Si2 SALICIDE结构对 CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响 .通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明 ,Co Si2 SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻 ,而且对 SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用 .与多晶硅栅器件相比 ,采用 Co Si2 SALICIDE结构的器件经过辐照以后 ,器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善 .由此可见 ,Co Si2SALICIDE技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一 .

激光间接驱动柱形腔壁辐照特性

在惯性约束聚变间接驱动装置中,针对柱形腔两端注入结构及其光路排布方案,建立了基于束匀滑技术的激光束传输模型。在此基础上,分析了激光集束在真空柱形腔腔壁上的辐照特性,并根据柱形腔整体腔壁光斑排布特性,对激光集束光路排布进行了初步优化。结果表明,随着入射角度的增加,激光集束在腔壁的光斑尺寸逐渐变小,而其在腔壁上的热斑比例无明显变化,偏振特性也基本保持一致。通过进一步分析所有激光集束在腔壁上的强度分布和热斑比例可知,内、外环激光集束在腔壁上的交叠区域将增大局部峰值强度,提高热斑比例。可以通过适当调节内环激光集束的焦面位置和入射角度来改善所有激光集束在腔壁上的辐照特性。

高质量栅氧化层的制备及其辐照特性研究

通过大量工艺实验开发了采用低温Ｈ２－Ｏ２合成氧化方法制备薄栅氧化层的工艺技术，得到了性能优良的薄栅氧化层，对于厚度为３０ｎｍ的栅氧化层，其平均击穿电压为３０Ｖ，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度小于３．５×１０１０ｃｍ－２．该工艺现已成功地应用于薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺中．同时还开展了采用低温Ｈ２－Ｏ２薄栅氧化工艺制备的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的抗总剂量辐照特性研究，采用低温Ｈ２－Ｏ２合成氧化方法制备的ＳＯＩ器件的抗辐照特性明显优于采用常规干氧氧化方法制备的器件，Ｈ２－Ｏ２低温氧化工艺是制备抗核加固ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的优选栅氧化工艺．

多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力．其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致．

PDP用荧光粉的真空紫外辐照特性

利用“等离子体显示用荧光粉光学测试系统”中147nm真空紫外光,对实用的（Y,Gd）BO_3:Eu红粉,Zn_2SiO_4:Mn和（Ba,Sr,Mg）O·nAl_2O_3:Mn绿粉以及（Ba,Mg）O·nAl_2O_3:Eu^(2+)蓝粉进行较长时间的辐照,以观察荧光粉的衰减特性,发现红粉衰减最小,蓝粉初始衰减较快,而绿粉亮度存在一个先升后降的现象。

GaAs微条粒子探测器的辐照特性

设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0、30 0μm .该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后 ,表面金属光亮无损 ,反向击穿电压最高可达 180 V,在反偏电压 80 V时 ,反向暗电流密度低达31n A/mm2 .探测器的最小条宽为 2 0μm.

GaAs粒子探测器的抗辐照特性研究

报道了一种面积为９ｍｍ２的ＧａＡｓ肖特基势垒粒子探测器，其反向耐压高于４００Ｖ，反向漏电流低于１２５ｎＡ（ＶＲ＜－１５０Ｖ）。器件经受能量为３ＭｅＶ、剂量为５００ｋＧｙ的电子辐照后，反向漏电流为２７０ｎＡ（ＶＲ＝－１５０Ｖ）。说明在高能物理和核物理中很有应用前途。

Ba^(2+)对卤磷酸盐掺Eu^(2+)荧光粉辐照特性的影响

在国家同步辐射实验室的时间分辨光谱站（Ｕ１０Ｂ光束线）研究掺杂Ｅｕ２＋的卤磷酸盐：（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３ＣｌＥｕ２＋样品和（Ｃａ，Ｓｒ）５（ＰＯ４）３ＣｌＥｕ２＋的真空紫外辐照特性、反射光谱．前者在１８５ｎｍ光的激发下，６０分钟内没有观察到明显的发光强度下降；而后者在１８５ｎｍ光的激发下，１５分钟内就可以观察到其４５０ｎｍ发光的明显变化，从强到弱，直至完全消失．测量了两种样品的反射谱（１００ｎｍ至４００ｎｍ），并根据Ｋ－Ｋ关系计算得出的吸收谱，我们认为：由于Ｂａ２＋的加入，改变了晶格对称性，（Ｏ）－色心的能级发生变化，晶体对１８５ｎｍ附近紫外光的吸收明显降低。

MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究

通过交流电导法,对经过不同时间N_2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N_2O RTP对Si-SiO_2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响。结论表明,MOS电容的Si-SiO_2界面陷阱密度随N_2O快速热处理时间先增加再降低;零偏压总剂量辐照使氧化层陷阱电荷显著增加,而Si-SiO_2界面陷阱电荷轻微减少。

空间目标和背景的辐照特性仿真技术研究

对空间目标和空间背景的辐照特性进行分析,建立物理计算模型。在此基础上采用计算机图形学相关的仿真方法,对不同辐照特性天体采用不同仿真手段,建立了辐照特性和仿真灰度之间的对应关系。应用表明,设计的仿真方法能可靠地仿真目标和背景的辐照特性,并且为目标和背景的外型几何特性和运动特性提供了灵活的参数控制方法。设计的仿真技术保留多个可调的参数接口,扩展性强,便于应用推广。

大型太阳模拟器准直镜装调及辐照特性测试

由于太阳模拟器可以精确模拟太阳光,近年来,越来越多空间环境模拟试验采用太阳模拟器来模拟在轨高温环境。介绍了一个有效光束直径2 m的大型太阳模拟器,其准直镜由19块正六边形的球面单元镜拼接而成;分析了球面反射镜光学装调常用方法,以球心自校准法为基础,提出一种拼接式反射镜的装调方案;详述了该拼接式准直镜的装调过程,拼接后有效口径2 710 mm,半径13 280 mm;此外,还介绍了大气环境下、真空低温环境下和真空热试验过程中大型太阳模拟器主要辐照特性检测方法及装置,为太阳模拟器在工程中的更好应用提供参考。

掺氟石英光纤的耐辐照特性

为了制作在宽波长范围内具有优良耐辐照特性的光纤,我们对掺氟石英光纤(而不是纯石英光纤)进行了研究,同时还研究了掺H_2对掺氟光纤的作用.研究结果表明,掺氟能使光纤有用的波长区明显扩大;给掺氟光纤掺H_2可以大大提高这些光纤的耐辐照特性.

高压VDMOS器件的研制及其抗辐照特性研究

利用SILVACO工艺模拟软件和器件模拟软件以及L-Edit版图设计工具,我们对一款高压VDMOS功率器件进行了模拟仿真和优化设计。利用自主开发的VDMOS工艺流程完成了器件的实际流片。测试结果表明,器件的源漏击穿电压达到600 V以上,导通电阻小于2.5,跨导为4 S,栅-源泄漏电流约为±100 nA,零栅电压时的漏-源泄漏电流约为10μA,二极管正向压降约为1.2 V。采用二维器件模拟仿真工具以及相关物理模型对所研制的高压VDMOS器件的SEB和SEGR效应进行了分析,并通过对所研制的器件样片采用钴-60γ射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平下辐照对所研制的高压VDMOS器件相关电学参数的影响。

掺Bi石英光纤的γ射线辐照和温度影响特性

采用改进的化学气相沉积法制备了尺寸为10/130μm的掺Bi单包层石英光纤,把光纤分成若干组之后置于不同剂量的60Coγ辐射源下辐照,测试了光纤在辐照前后的吸收谱和荧光谱,并测试了光纤在全温度范围(-40—70?C)下荧光强度的变化.实验结果表明,辐照后700,800 nm处的吸收峰显著增强,这是由于辐照导致更多Bi近红外活性中心的生成.976 nm光抽运不同剂量辐照后的光纤,中心位于1230 nm的荧光谱没有明显变化,验证了掺Bi石英光纤用于太空及辐照环境下光通信的可能性.在全温度范围内,分析了荧光强度的变化规律,为今后掺Bi光纤激光器的稳定工作提供了数据基础.

聚乙烯辐照特性的研究

用电子辐照的方法对聚乙烯进行了交联,研究了辐射剂量,助交联剂对聚乙烯力学、电学等性能的影响。

光纤辐照特性的模拟分析

辐照环境下光纤通信链路应具有一定的耐辐照能力,对辐照环境和影响光纤辐照性能测试的因素进行了概述,对不同辐照条件下光纤辐照特性进行了测试,采用Matlab工具进行了光纤辐照特性的模拟和对比分析。

诱导空间非相干和消衍射透镜阵列联用方式束匀滑方案的腔壁辐照特性分析及优化

针对惯性约束聚变(ICF)装置中的光路排布和柱形靶腔结构,建立了基于诱导空间非相干(ISI)和消衍射透镜阵列(DLA)联用的宽带激光束匀滑方案的靶腔内光传输模型,进而开展了腔壁辐照特性的分析和优化。在基于ISI与DLA联用的宽带激光束匀滑方案中,主透镜焦距与柱形靶腔参数的匹配至关重要,否则将对不同入射角度集束在腔壁处的光斑造成不同程度的破坏,导致腔壁光斑交叉重叠,从而严重破坏腔壁辐照的均匀性。本文通过分析主透镜焦距和DLA参数等对腔壁辐照特性的影响规律,开展了宽带激光束匀滑方案的参数设计及优化,以改善腔壁辐照的均匀性。结果表明:增大主透镜焦距,可有效保持不同入射角度集束在腔壁处光斑的包络,从而减轻腔壁光斑交叉重叠的现象;合理选取DLA的子透镜数目和子透镜长短轴比例,可以提高腔壁光斑的占空比,并有效减少束匀滑所需的时间;优化内环集束的入射角度,可以避免内环与外环集束在腔壁上交叉重叠。

SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移

首次报道了辐照所引起的 SOI/ MOS器件 PD (部分耗尽 )与 FD (全耗尽 )过渡区的漂移 .基于含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 ,模拟了 FD与 PD过渡区随辐照剂量的漂移 .讨论了辐照引起 FD与 PD器件转化的原因 ,进一步分析了 FD与

Anger-camera型中子探测器位置分辨性能研究

本文描述用于中国散裂中子源(CSNS)谱仪上,基于Anger-camera位置重建原理的闪烁体中子探测器样机位置分辨性能研究。在BL20中子测试束线上完成了探测器关键器件性能测试,包括硅光电倍增管(Silicon Photon Multiplier Tube, SiPM)阵列位置重建能力测试和耐辐照特性研究,同时对不同光导厚度下探测器位置分辨能力开展测试,发现基于SiPM阵列读出的Anger-camera型闪烁体中子探测器采用300μm的^(6)LiF/ZnS(Ag)闪烁屏和5 mm空气作为光导,其位置分辨最佳可达到0.6 mm。该探测器样机后期可通过大面积阵列拼接,实现中子衍射实验对大面积高位置分辨探测器的需求,其成功研制为加快谱仪建设提供有力的技术支撑。