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题名基于容抗法的C_(DM)测试技术设计
被引量:1
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作者
刘晓
李帅达
陈光耀
魏然
戴莹
吕栋
虞勇坚
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
陆装驻哈尔滨地区第一军事代表室
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出处
《电子质量》
2023年第2期69-72,共4页
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文摘
网络运放输入差模电容可通过电容不同特性计算推导,而实际测试设备的精度往往无法达到理论推导结果的准确性,这主要是由于运放差分输入OFFSET问题导致差分输入信号无法达到完全一致。首先,为了深入地了解寄生电容的主要产生机制,对传统Bipolar器件和CMOS器件的结构以及等效模型进行了分析介绍;然后,分别根据运放频域特性和寄生电容的充放电特性原理,对运放的输入差分寄生电容进行推导;最后,利用仿真方法对测试结果进行了验证。结果表明,采用容抗法测得的结果更接近于真实值,从而验证了所提出的方法的有效性,对于提高差模电容测试精度具有重要的意义。
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关键词
运放输入差模电容
运算放大器测试
输入电容测试
运放频域特性
寄生电容
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Keywords
operational amplifier input differential mode capacitance
operational amplifier test
input capacitance test
domain characteristics of operational amplifrer
parasitic capacitance
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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