超短波低噪声放大器的设计

采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10~1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大器。该放大器利用有源偏置电路和共源共栅结构设计而成,提出的新型有源偏置电路使该低噪声放大器(LNA)能够在复杂的环境中稳定地工作。仿真结果表明,在工作频带内,增益高于22 dB,噪声系数低于0.7 dB,输出1 dB压缩点高于26 dBm,输出三阶交调点高于43 dBm。