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一种新颖的多值基准输出缓冲器设计
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作者 胡敏 冯全源 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第1期52-56,共5页
对比分析了不同结构的传统多值基准输出缓冲器,提出了一种新颖的多值基准输出缓冲器结构。采用PMOS输出结构提高了输出电压摆幅,利用低输出阻抗结构加快了瞬态响应速度,解决了传统结构无法兼具高输出与快响应的矛盾,电路功耗低、易补偿... 对比分析了不同结构的传统多值基准输出缓冲器,提出了一种新颖的多值基准输出缓冲器结构。采用PMOS输出结构提高了输出电压摆幅,利用低输出阻抗结构加快了瞬态响应速度,解决了传统结构无法兼具高输出与快响应的矛盾,电路功耗低、易补偿。基于0.15μm标准CMOS工艺,用Hspice软件对电路进行仿真。仿真结果表明,当电源电压为5 V、温度为25℃时,输出电压上限可达4.82 V;当补偿电容取3 pF时,相位裕度达到86°;当输入电压为1.2 V、输出电压为4.5 V、输出电流扰动变化量为100 nA时,瞬态响应时间为4μs;静态电流仅为7μA。 展开更多
关键词 基准输出缓冲器 多值基准 输出电压上限 瞬态响应速度
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