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题名一种新颖的多值基准输出缓冲器设计
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作者
胡敏
冯全源
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机构
西南交通大学微电子研究所
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期52-56,共5页
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基金
国家自然科学基金重点项目资助(61531016
61831017)
+1 种基金
四川省科技支撑计划重点项目资助(2018GZ0139)
四川省重大科技专项项目资助(2018GZDZX0001)。
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文摘
对比分析了不同结构的传统多值基准输出缓冲器,提出了一种新颖的多值基准输出缓冲器结构。采用PMOS输出结构提高了输出电压摆幅,利用低输出阻抗结构加快了瞬态响应速度,解决了传统结构无法兼具高输出与快响应的矛盾,电路功耗低、易补偿。基于0.15μm标准CMOS工艺,用Hspice软件对电路进行仿真。仿真结果表明,当电源电压为5 V、温度为25℃时,输出电压上限可达4.82 V;当补偿电容取3 pF时,相位裕度达到86°;当输入电压为1.2 V、输出电压为4.5 V、输出电流扰动变化量为100 nA时,瞬态响应时间为4μs;静态电流仅为7μA。
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关键词
基准输出缓冲器
多值基准
输出电压上限
瞬态响应速度
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Keywords
reference voltage output buffer
multivalued reference voltage
output voltage upper limit
transient response speed
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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