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基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导 被引量：1
1
作者 杨志民 马义德 +2 位作者 马永杰 摆玉龙 杨鸿武 《吉林大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期229-233,共5页
对采用0.13μm工艺(p13)低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究,给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好,证明了设计公... 对采用0.13μm工艺(p13)低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究,给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好,证明了设计公式的有效性。 展开更多
关键词 半导体技术 集成电路 0.13μm工艺 CMOS场效应管 输出电导
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