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题名一种2.2~4 GHz高增益低噪声放大器
被引量:2
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作者
雷华奎
李志强
王显泰
段连成
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机构
中国科学院大学
中国科学院微电子研究所
新一代通信射频芯片技术北京重点实验室
昂瑞微电子技术有限公司
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第4期471-476,共6页
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基金
国家科技重大专项(2018ZX09201011)
中科院院地合作项目(18YFYSZC00200)。
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文摘
采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计并实现了一种应用于5G通信2.2~4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(LNA)。通过将并联RC负反馈与共栅接地电容结合,不使用源极电感,实现了宽带高增益的LNA设计。测试结果表明,2.2~4 GHz频段增益大于24 dB,输出3阶互调(OIP3)为28 dBm,噪声系数(NF)小于0.78 dB,功耗为190 mW,芯片面积为(810×710)μm^(2)。综合指标(FOM)为14.4 dB,与同类LNA相比具有一定的优势。
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关键词
共源共栅
低噪声放大器
输出3阶互调
综合指标
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Keywords
cascode
low noise amplifier
output third order intermodulation
figure of merit
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分类号
TN722.3
[电子电信—电路与系统]
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