MgO-Mg_2SiO_4-SiC复相损耗钮扣的微波衰减性能

采用热压工艺在1 500℃下保温1 h制备了MgO-Mg2SiO4-SiC复相微波衰减损耗钮扣材料,通过矢量网络分析仪测试了不同MgO、Mg2SiO4配比的复相材料在X波段（8~12 GHz）的微波衰减性能,并研究了SiC添加量对复相材料微波衰减性能的影响。结果表明,热压烧结MgO和Mg2SiO4的衰减频率分别为10.68 GHz和11.80 GHz,MgO-Mg2SiO4复相材料的衰减频率介于两者之间,随着复相材料中Mg2SiO4相的增加,衰减频率向高频方向移动;SiC的加入使复相材料的致密度下降,衰减频率向低频方向移动。从测试原理和波导性质方面分析了直径6.1 mm、高度4.2 mm的损耗钮扣材料需满足9.9〈rε〈18.66,可抑制行波管的边带震荡,此时衰减频率f0为37.7×rε-0.5（GHz）。

氧化镁-碳化硅复相陶瓷在X波段的衰减性能

以MgO为基体,添加少量SiC,采用热压工艺制备复相微波衰减钮扣材料,通过矢量网络分析仪测试其X波段的微波衰减性能。研究SiC的添加量、烧结温度、保温时间以及介电性能等因素对复相材料衰减性能的影响。结果表明:当SiC质量分数(下同)从1%到10%逐渐增加时,复相材料的损耗谐振衰减频率(f0)随之降低,衰减量也逐渐减小,有效衰减带宽增大;这种现象在SiC含量小于2%时更显著。烧结温度的降低会提高复相材料的f0;保温时间对复相材料衰减性能稳定性的影响较小。从谐振腔及波导的性质入手分析了影响f0的主要因素,导出了给定钮扣半径下复相材料f0与相对介电常数之间的关系及适用范围,并据此从材料设计的角度对耦合腔行波管"损耗钮扣"的制备进行了探讨。