探讨了镜频抑制度对于射频前端噪声系数的影响,分析计算了一次变频系统中有镜频抑制滤波器和无镜频抑制滤波器两种情况下射频前端输出的噪声功率值,分析表明镜频抑制滤波器在一次变频系统中能够改善系统噪声系数约3 d B;针对二次变频系...探讨了镜频抑制度对于射频前端噪声系数的影响,分析计算了一次变频系统中有镜频抑制滤波器和无镜频抑制滤波器两种情况下射频前端输出的噪声功率值,分析表明镜频抑制滤波器在一次变频系统中能够改善系统噪声系数约3 d B;针对二次变频系统射频前端的输出噪声功率,分析计算表明当镜频抑制度达到20 d B以上时,镜像频率对射频前端输出噪声的影响很小,近乎可以忽略。给出一种Ka频段二次变频射频前端的实例,测试结果与理论分析一致。展开更多
文摘探讨了镜频抑制度对于射频前端噪声系数的影响,分析计算了一次变频系统中有镜频抑制滤波器和无镜频抑制滤波器两种情况下射频前端输出的噪声功率值,分析表明镜频抑制滤波器在一次变频系统中能够改善系统噪声系数约3 d B;针对二次变频系统射频前端的输出噪声功率,分析计算表明当镜频抑制度达到20 d B以上时,镜像频率对射频前端输出噪声的影响很小,近乎可以忽略。给出一种Ka频段二次变频射频前端的实例,测试结果与理论分析一致。
文摘提出了一种适用于射频—微机电系统(RF-MEMS)滤波器的高性能接口放大电路。利用微纳工艺制备了相对带宽为1.4%、中心频率为73.02 MHz的硅基MEMS滤波器,针对其高阻抗、高插入损耗特性,设计了基于运算放大器的低噪声、高增益的两级放大电路和阻抗匹配电路。仿真结果表明:接口电路对高频的MEMS滤波器微弱电流信号具有良好的放大效果,增益可达62.75d B,噪声系数为3.35d B,S22反射系数为-46.91 d B,使RF-MEMS滤波器的插入损耗降低至0.56 d B。测试与PCB板级电路级联的MEMS滤波器输出信号表明:RF-MEMS滤波器的插入损耗降至16.2d B,相对带宽为1.4%,中心频率为73.02 MHz,提升了MEMS滤波器在无线通信中的应用潜力。