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硅单晶抛光片边缘亮线研究
被引量:
2
1
作者
王云彪
杨洪星
+1 位作者
陈亚楠
张伟才
《电子工艺技术》
2014年第5期298-302,共5页
随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展,国内10~15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈,外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷,对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要...
随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展,国内10~15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈,外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷,对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析,揭示了“边缘亮线”产生的机理,分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响,通过优化抛光工艺条件,消除了抛光片表面“边缘亮线”缺陷。
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关键词
边缘亮线
表面形貌
成品率
抛光片
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职称材料
题名
硅单晶抛光片边缘亮线研究
被引量:
2
1
作者
王云彪
杨洪星
陈亚楠
张伟才
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《电子工艺技术》
2014年第5期298-302,共5页
基金
天津市青年基金项目(项目编号:12JCQNJC01700)
文摘
随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展,国内10~15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈,外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷,对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析,揭示了“边缘亮线”产生的机理,分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响,通过优化抛光工艺条件,消除了抛光片表面“边缘亮线”缺陷。
关键词
边缘亮线
表面形貌
成品率
抛光片
Keywords
Edge bright line
Surface morphology
Yield
Polishing wafer
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅单晶抛光片边缘亮线研究
王云彪
杨洪星
陈亚楠
张伟才
《电子工艺技术》
2014
2
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