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题名FFS液晶显示模式下残像的非对称电压补偿研究
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作者
时成瑛
蔡敏
傅炯樑
王一明
秦丹丹
夏志强
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机构
上海中航光电子有限公司
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出处
《光电子技术》
CAS
北大核心
2019年第4期285-288,共4页
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文摘
通过非对称电压补偿方法研究了FFS模式下的残像现象。实验结果表明在不更换盒内材料的情况下,非对称电压补偿可以快速有效地改善残像问题。同时研究了不同的材料、不同的像素结构对应的实际补偿电压。结果显示随着配向膜电阻的增加,补偿电压有增大趋势(0.1 V到0.3 V),正负性液晶以及不同像素结构(公共电极层分别位于最上层和中间层,Top/Mid com)呈相反趋势(+0.3 V和-0.3 V),且不同于以往的研究,最终的残像结果负性液晶好于正性液晶。不同的彩膜平坦化层材料对应的补偿电压也有较明显差异。研究为FFS液晶显示模式残像的快速改善提供了参考。
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关键词
残像
边缘场切换技术
挠曲电效应
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Keywords
image sticking
fringe field switching(FFS)
flexoelectric effect
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分类号
TN141.9
[电子电信—物理电子学]
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题名负性液晶在FFS模式下的残像研究
被引量:4
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作者
童芬
郭小军
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机构
上海交通大学电子与通信工程学院
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期393-398,共6页
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文摘
图像残像是评价画面质量的最重要因素之一,大部分工程师研究了组合物的材料和液晶面板的制造工艺,以改善影像残留,但之前的研究主要是以正性液晶材料为基础进行探讨的,本文主要以负性液晶材料为基础研究了用边缘场驱动的面板残像。首先为了比较正性液晶与负性液晶,测量了离子密度及电压保持率(VHR),其次为了比较两种配向材料(PI)与液晶材料的搭配特性并选择合适的组合,量测了样品的直流残留(RDC)电压和Vcom电压随时间的变化。从量测结果可知,紫外(UV)光照前负性液晶离子密度是正性液晶的39倍,经过紫外光照,后负性液晶的离子密度为560Pc/cm,且其紫外光照后电压保持率变化量为2.7%;使用负性液晶搭配PI1的样品A-1的直流残留电压和Vcom(等效为交流驱动电压的中心值)随时间变化量都是最大的,分别为0.5V和250mV,负性液晶搭配PI2材料的面板和正性液晶的面板的直流残留电压均小于0.2V,其Vcom随时间变化量均在50mV以内。负性液晶材料的离子浓度含量高,且其稳定性比正性液晶材料差,负性液晶材料比正性液晶材料更容易发生残像;对于使用负性液晶材料,边缘场驱动模式的面板,搭配PI2配向膜材料能够保持低的直流残留电压及低的Vcom电压变化量,从而对改善残像现象有帮助。
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关键词
边缘场切换广视角技术
负性液晶
残像
配向膜
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Keywords
fringe field switching
negative LC
image sticking
polyimide
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分类号
TN141
[电子电信—物理电子学]
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题名莨菪烷基添加剂对FFS模式中残像的影响
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作者
胡叶廷
周雷勇
李晓娜
远藤浩史
森崇德
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机构
捷恩智液晶材料有限公司
JNC石油化学株式会社
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期504-508,共5页
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文摘
残像的存在严重影响液晶显示器的画面品质。但由于其发生的机理较复杂,目前还没有较好的解决方案。本文以负性液晶材料为基础,在其中加入新型莨菪烷基添加剂,研究其在FFS模式中对残像的影响。通过闪烁漂移、DC残留电压释放以及棋盘格残像测试,系统分析并讨论了添加剂的使用对负性液晶残像的影响。研究结果表明,加入添加剂后,样品的闪烁漂移得到改善;残留DC偏置积聚量减小30%且释放速度提升了95%;V_(com)漂移由0.7 V改善至0.02 V,V_(com)亮度变化由8 cd/m^(2)降低至2 cd/m^(2);线残像由L3改善至L1。本研究对从液晶材料方面改善残像具有一定的指导意义。
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关键词
边缘场切换广角技术
残像
负性液晶
莨菪烷基添加剂
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Keywords
fringe field switching
image sticking
negative liquid crystal
tropane additive
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分类号
TN141
[电子电信—物理电子学]
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