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薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究 被引量:1
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作者 王守坤 郭总杰 +2 位作者 袁剑峰 林承武 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期355-360,共6页
对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究。通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析。结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致... 对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究。通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析。结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题。通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 薄雾不良 边缘场开关薄膜晶体管 等离子体化学气相沉积 氮化硅膜 透过率
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两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管 被引量:1
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作者 梁亦然 夏继业 梁学磊 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第21期2427-2427,共1页
与现有的薄膜晶体管技术相比,碳纳米管薄膜晶体管(CNT—TFT)具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势,因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景.通常CNT—TFT的制备多是采... 与现有的薄膜晶体管技术相比,碳纳米管薄膜晶体管(CNT—TFT)具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势,因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景.通常CNT—TFT的制备多是采用CNT溶液沉积法,在基底上得到的是无序的网络状薄膜,存在大量的CNT交叉结.受CNT材料制备的限制, 展开更多
关键词 薄膜晶体管 材料制备 碳纳米管 开关 短沟道 电泳法 边缘 载流子迁移率
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Short channel carbon nanotube thin film transistors with high on/off ratio fabricated by two-step fringing field dielectrophoresis
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作者 Yiran Liang Jiye Xia Xuelei Liang 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第10期794-800,共7页
A two-step fringing field dielectrophoretic assembly method for carbon nanotube thin film transistors (CNT-TFTs) fabrication was demonstrated. Densely aligned CNT arrays were assembled at the source and drain electr... A two-step fringing field dielectrophoretic assembly method for carbon nanotube thin film transistors (CNT-TFTs) fabrication was demonstrated. Densely aligned CNT arrays were assembled at the source and drain electrodes sequentially which form a cascade structure of the aligned CNT arrays. The cascade structure reduces the possibility of percolating metallic pathways in the channel, which is beneficial to device performance. In this way, both high on/off current ratio Ion/loft (up to 107) and high out-put current density (8.5μA/μm) were obtained in short channel length (1-2.5μm) CNT-TFTs. The reported CNT assem- bling strategy is site selective and highly efficient, which can be scaled up to large size substrates and leads to high throughput of CNT-TFTs fabrication. 展开更多
关键词 Carbon nanotube Thin film transistor Short channel High on/off ratio Dielelectrophoresis
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