新型T形边缘场致发射器件的静电分析

对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果．在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正交有限差分算法，由于所取坐标轴与边界重合，所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体．文中给出了场强及发射电流与几何结构因子的关系曲线、轨迹图及ＩＶ特性曲线。

环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究

本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构．采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列．在高超净室的大气和10－4Pa真空下测量了这种二极管阵列的I－V特性．大气下发射的开启电压大约为150伏，真空下的发射开启电压大约为70伏．最后还讨论了制备工艺中光刻套准偏差对发射的影响．分析结果表明偏心对发射的影响并不很明显．