选择外延MOVPE的表面迁移

研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律 ,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ /Ⅲ比的变化。结果表明 ,随着掩模宽度的增大 ,In组分增大 ,Ga组分减少 ;随着Ⅴ /Ⅲ比的增大 ,InGaAsP材料表面趋向平坦。对材料边缘尖角的变化规律作出了合理解释 ,研制出表面平坦的外延材料 。