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用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较
被引量:
3
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作者
鲁效明
《计量技术》
2002年第9期8-10,共3页
本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点 ,及测量结果的比较 。
关键词
四探针方法
硅单晶片
边缘电阻率
测量方法
半导体材料
下载PDF
职称材料
题名
用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较
被引量:
3
1
作者
鲁效明
机构
中国计量科学研究院
出处
《计量技术》
2002年第9期8-10,共3页
文摘
本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点 ,及测量结果的比较 。
关键词
四探针方法
硅单晶片
边缘电阻率
测量方法
半导体材料
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
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1
用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较
鲁效明
《计量技术》
2002
3
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职称材料
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