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用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较 被引量:3
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作者 鲁效明 《计量技术》 2002年第9期8-10,共3页
本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点 ,及测量结果的比较 。
关键词 四探针方法 硅单晶片 边缘电阻率 测量方法 半导体材料
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