具有边缘缺陷石墨烯纳米结的自旋输运特性(英文)

利用第一性原理研究了两种具有边缘缺陷石墨烯纳米结的自旋输运,即边界氢原子饱和和未被饱和两种情况。结果表明:边缘缺陷改变了电子的输运行为。对于完整的石墨烯纳米带,两种自旋的电子在费米能级附近是完全简并的;对于含有边缘缺陷的石墨烯纳米结,两种自旋的电子在费米能级附近的很大能量范围内表现出自旋分离。电子局域态密度可进一步说明这种输运行为。这些纳米结可产生与自旋相关的极化电流。特别对于未饱和的缺陷结,在任何偏压下都有较高的自旋滤波效率。