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IGCT芯片边缘门极封装结构设计
1
作者
孙永伟
陈芳林
+3 位作者
曾文彬
潘学军
陈勇民
邹平
《电子质量》
2023年第9期55-59,共5页
集成门极换流晶闸管(IGCT)是一种电流控制型开关器件,具有开关频率高、阻断电压高、电流大和损耗低等优点,在直流输电和电力变换等领域得到了广泛的应用。IGCT的封装结构对于芯片散热、阻断和通流等性能具有较大影响,目前IGCT广泛应用...
集成门极换流晶闸管(IGCT)是一种电流控制型开关器件,具有开关频率高、阻断电压高、电流大和损耗低等优点,在直流输电和电力变换等领域得到了广泛的应用。IGCT的封装结构对于芯片散热、阻断和通流等性能具有较大影响,目前IGCT广泛应用的封装结构为中间门极形式的结构,但该结构存在一定的改进空间。因此,提出了一种边缘门极封装结构,相较于传统封装结构,其在散热能力和门阴极换流能力方面均有优化,具有一定的推广使用价值。
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关键词
集成
门极
换流晶闸管
边缘门极封装结构
门阴极换流
结壳热阻
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职称材料
题名
IGCT芯片边缘门极封装结构设计
1
作者
孙永伟
陈芳林
曾文彬
潘学军
陈勇民
邹平
机构
株洲中车时代半导体有限公司
出处
《电子质量》
2023年第9期55-59,共5页
文摘
集成门极换流晶闸管(IGCT)是一种电流控制型开关器件,具有开关频率高、阻断电压高、电流大和损耗低等优点,在直流输电和电力变换等领域得到了广泛的应用。IGCT的封装结构对于芯片散热、阻断和通流等性能具有较大影响,目前IGCT广泛应用的封装结构为中间门极形式的结构,但该结构存在一定的改进空间。因此,提出了一种边缘门极封装结构,相较于传统封装结构,其在散热能力和门阴极换流能力方面均有优化,具有一定的推广使用价值。
关键词
集成
门极
换流晶闸管
边缘门极封装结构
门阴极换流
结壳热阻
Keywords
IGCT
edge gate package structure
gate cathode commutation
crust thermal resistance
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
IGCT芯片边缘门极封装结构设计
孙永伟
陈芳林
曾文彬
潘学军
陈勇民
邹平
《电子质量》
2023
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