重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量

通过衬底剥离技术对以重掺N型磷化铟(N^+-InP)衬底生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As外延层的迁移率测量方法进行了研究。首先,采用环氧树脂胶将In_(0.53)Ga_(0.47)As外延层粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上,以盐酸溶液腐蚀掉InP衬底;之后,采用扫描电子显微镜能谱及金相显微镜对InP衬底的剥离情况及In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜的损伤情况进行了检测;最后采用范德堡法对粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜的迁移率进行了测量。通过对比试验得出,剥离InP衬底的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜的迁移率测量结果与理论值符合较好,与真值偏差在20%以内。