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原位确定GaAsMESFET沟道的掺杂浓度分布和迁移率分布
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作者 张友渝 程兆年 张俊岳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第7期521-527,共7页
本文提出一种原位测定ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法．建立了测试模型．推导出测量计算公式．用最优化方法处理实验数据，由机助测试系统和计算程序可方便地获得结果．
关键词 砷化镓 MESFET 掺杂 浓度分布 迁移率分布
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