含水二氧化硅介质14 MeV中子慢化长度与中子迁移长度模拟计算

基于MCNP程序模拟计算了不同孔隙度二氧化硅介质地层14 Me V中子慢化长度与中子迁移长度。首先,模拟计算了241Am-Be中子源条件下不同孔隙度Si O2介质地层的中子通量空间分布,并利用源距均方值公式计算得到了对应的中子慢化长度LS和中子迁移长度LM。与文献结果对比:中子特征长度LS与LM结果相对误差均值分别为1.20%与-2.60%;该结果验证了源距均方值公式计算中子特征长度的有效性和可行性。同样地,计算得到了不同孔隙度Si O2介质地层14 Me V中子的中子特征长度LS和LM;计算结果表明:14 Me V中子的中子特征长度同样随地层孔隙度的增加而降低;其中水的14Me V中子特征长度为LS=12.73 cm、LM=13.00 cm,Si O2的14 Me V中子特征长度为LS=30.08 cm、LM=34.31 cm;中子慢化长度LS结果与文献结果的相对偏差≤±3.1%。

选择区域外延生长中掩模介质表面Ga原子的迁移特性

选择区域外延生长(SAG)技术是微纳尺度GaN基发光器件的主要制备方法之一。在选择区域外延生长中,Ⅲ族金属原子在掩模介质表面的迁移行为对微纳器件的形貌及特性有非常重要的影响。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统研究了选择区域外延生长中Ga原子在掩模介质表面上的迁移特性,得到了不同反应腔压力和生长温度下Ga原子在掩模介质表面的迁移长度,且在保持其他生长条件不变的情况下,适当降低反应腔压力或提高生长温度可提高Ga原子的迁移长度。

非晶硒合金膜载流子特性研究

在X射线医学成象和无损检测方面，非晶硒现在被认为是最有前途的探测材料之一，其我流子特性对应用至关重要．本文描述了非晶硒（掺砷）合金材料的制备和合金膜的真空蒸镀制备方法，并用滚越时间方法测量了载流于的漂移迁移率和寿命．讨论了一些对非晶硒合金膜性能有重要影响的因素．实验表明，制备方法对非晶硒合金膜的性能有显著影响．可以看到，在低电场下被陷讲捕获的我流子形成的空间电荷对测量我流永寿命和对光的敏感度有很大影响·实验得到了良好的结果，在10Wpm场强下，空穴迁移长度约150o尸m，电子迁移长度约1200μm．该结果表明，可以用几百微米厚的非晶硒合金膜作为X射线探测或成象的光电导接受器．

审美概念理解对于创造性思维作业成绩的影响

本研究以小学 3、5年级、初 2、高 2、大 2年级学生共 30 0人为被试 (实验组 15 6人 ;对照组 15 4人 ) ,对审美概念实验教学前后测验结果分析表明 :审美概念理解程度对于创造性思维作业成绩有显著影响 ,各年级都存在这种效果 ;总的看女生显著高于男生。审美概念理解的 7个因子 (概念理解流畅、释义正确、释义精确、事实迁移长度、事实迁移宽度、类词迁移长度、类词迁移宽度等 )与创造性思维的两类作业 (图形、语言 )、6个因子 (流畅、独创、精致、灵活、标题抽象、抗封闭 )之间均存在显著相关 ;其中“类词迁移宽度”、“释义精确”、“类词迁移长度”等三个因素对创造性思维作业总成绩影响显著。

光化学汽相沉积中光激活物质的理论解析

基于光激活物质空间迁移长度的概念，推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式，对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟和分析． 模拟结果同实验结果符合良好．