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浅谈晶硅电池刻蚀去PSG工序过刻情况
1
作者
王进财
《中国设备工程》
2019年第24期134-135,共2页
刻蚀及去PSG可去除扩散后在硅片背面及周围形成的P-N结以及硅片表面的磷硅玻璃,有效地降低电池的并联电阻,提升电池转化效率。湿法刻蚀过程中过刻是一种常见的异常现象,会造成产品的批量返工。本文对晶硅电池制备过程中湿法刻蚀及去PSG...
刻蚀及去PSG可去除扩散后在硅片背面及周围形成的P-N结以及硅片表面的磷硅玻璃,有效地降低电池的并联电阻,提升电池转化效率。湿法刻蚀过程中过刻是一种常见的异常现象,会造成产品的批量返工。本文对晶硅电池制备过程中湿法刻蚀及去PSG工序过刻现象进行了简单分析。
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关键词
过刻
P-N结
毛细作用
表面张力
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职称材料
栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究
被引量:
3
2
作者
姜晓辉
田宗民
+9 位作者
李田生
张家祥
王亮
沈奇雨
崔玉琳
侯学成
郭建
陈旭
谢振宇
闵泰烨
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期278-281,共4页
为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反...
为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反应压力以及刻蚀气体比例等因素对栅绝缘层过孔刻蚀坡度角的影响。实验结果表明:当SF6气体比例为M3、反应压强为p3,制备的栅绝缘过孔坡度角较理想。
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关键词
栅绝缘层过孔
反应离子
刻
蚀
过刻
量
气体比例
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职称材料
TFT-LCD制程中Sand Mura的失效模式分析及改善研究
被引量:
1
3
作者
史高飞
沈奇雨
+4 位作者
许徐飞
宋洁
赵娜
韩基挏
李乘揆
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期257-262,共6页
在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备...
在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的Sand Mura问题。实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极ITO在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点;通过变更ITO薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在PVX过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0.3%,产品质量得到了很大的提高。此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础。
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关键词
TFT-LCD
SAND
Mura
过刻
厚度
刻
蚀时间
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职称材料
题名
浅谈晶硅电池刻蚀去PSG工序过刻情况
1
作者
王进财
机构
黄河水电西宁太阳能电力有限公司
出处
《中国设备工程》
2019年第24期134-135,共2页
文摘
刻蚀及去PSG可去除扩散后在硅片背面及周围形成的P-N结以及硅片表面的磷硅玻璃,有效地降低电池的并联电阻,提升电池转化效率。湿法刻蚀过程中过刻是一种常见的异常现象,会造成产品的批量返工。本文对晶硅电池制备过程中湿法刻蚀及去PSG工序过刻现象进行了简单分析。
关键词
过刻
P-N结
毛细作用
表面张力
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究
被引量:
3
2
作者
姜晓辉
田宗民
李田生
张家祥
王亮
沈奇雨
崔玉琳
侯学成
郭建
陈旭
谢振宇
闵泰烨
机构
北京京东方光电科技有限公司
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期278-281,共4页
文摘
为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反应压力以及刻蚀气体比例等因素对栅绝缘层过孔刻蚀坡度角的影响。实验结果表明:当SF6气体比例为M3、反应压强为p3,制备的栅绝缘过孔坡度角较理想。
关键词
栅绝缘层过孔
反应离子
刻
蚀
过刻
量
气体比例
Keywords
GI through-hole, Reactive ion etching, Over etch, Gas flow ratio
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
TFT-LCD制程中Sand Mura的失效模式分析及改善研究
被引量:
1
3
作者
史高飞
沈奇雨
许徐飞
宋洁
赵娜
韩基挏
李乘揆
机构
合肥京东方光电科技有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期257-262,共6页
文摘
在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的Sand Mura问题。实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极ITO在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点;通过变更ITO薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在PVX过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0.3%,产品质量得到了很大的提高。此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础。
关键词
TFT-LCD
SAND
Mura
过刻
厚度
刻
蚀时间
Keywords
TFT-LCD
Sand Mura
over etch
thickness
etch time
分类号
TN87 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
浅谈晶硅电池刻蚀去PSG工序过刻情况
王进财
《中国设备工程》
2019
0
下载PDF
职称材料
2
栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究
姜晓辉
田宗民
李田生
张家祥
王亮
沈奇雨
崔玉琳
侯学成
郭建
陈旭
谢振宇
闵泰烨
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
下载PDF
职称材料
3
TFT-LCD制程中Sand Mura的失效模式分析及改善研究
史高飞
沈奇雨
许徐飞
宋洁
赵娜
韩基挏
李乘揆
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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