低B_r纳米晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_2V_1Si_(13.5)B_9合金的低频损耗行为

在 f=10～ 10 0 0Hz和Bm=0 4～ 1 0T范围内 ,测量了低Br 纳米晶Fe73 5Cu1Nb2 V1Si13 5B9合金的总功率损耗。将总损耗分离为三部分后 ,仔细地考查了每周过剩损耗的非线性行为。结果表明 ,损耗统计理论能很好地描述这一非线性行为。与对高起始磁导率态所得的结果比较表明 ,导致低Br 态的横向场退火使过剩损耗明显降低 ,从而明显地降低了总损耗。

铁基纳米晶软磁合金低频损耗的一般性质

对五种铁基纳米晶软磁合金的三种主要原始磁状态,在10Hz≤f≤1000Hz和0.4T≤B_m≤1.0T范围内考查了每周损耗与f和B_m的关系。把总损耗P分解为磁滞损耗 P_(hyst),经典涡流损耗P_(c1)和过剩损耗P_(exc)之和。发现P_(hyst)与B^2_m和f成比例。P/f-f的行为在大约不超过120Hz的范围内呈现出明显的非线性性,而在远高于100Hz的不大于1000Hz的范围内,P/f-f行为大致表现出线性性。在直到l000Hz的范围内,在原始的高起始磁导率和低剩余磁通密度的状态中,P_(hyst)占优势;在高于100Hz的较宽范围内,高剩余磁通密度的状态中的P_(exc)占优势。应用损耗的统计理论来表示P_(exc)/f-f的行为。发现在大约120Hz以下,几个同时活动的“磁物”(Magnetic Object)数n随动态场H_(exc)按n=n_0+H_(exc)/H_0线性变化;在远高于100Hz的不超过1000Hz范围内,n服从形如n=n_0+(H_(exc)/H_0)~m的规律,其中1<m<2。场H_0之值原则上与显微组织及畴结构有关,对三种磁状态计算了H_0之值。

低Br纳米晶Fe_(73.5) Cu_1 Nb_2 V_1 Si_(13.5) B_9合金的低频损耗行为

在f=10-1000Hz和B_(?)=0.4-1.0T范围内,测量了低Br纳米晶Fe_(73.5)Cu_1Nb_2V_1Si_(13.5)B_9合金的总功率损耗。将总损耗分离为三部分后,仔细地考查了每周过剩损耗的非线性行为。结果表明,损耗统计理论能很好地描述这一非线性行为。与对高起始磁导率态所得的结果比较表明,导致低Br态的横向场退火使过剩损耗明显降低,从而明显地降低了总损耗。

高B_r纳米晶Fe_(73)Cu_1Nb_2V_(1.5)Si_(13.5)B_9合金的铁损行为(I)低频损耗行为(英文)

在f=10-3×103Hz和Bm=0.1-1.0T范围内,研究了高Br纳米晶Fe73Cu1Nb2V1.5Si13.5B9合金的每周总损耗和频率的关系。P/f对f的行为明显地呈现非线性。大约在200Hz以下的范围内,非线性特征特别明显。用损耗统计理论中的“磁体”的行为能相当好地描述这种非线性行为。在较低的频段内,活动的磁体数n和动态过剩场Hexc是线性相关的,而在较宽和较高频段内,n与Hexc的关系是非线性的。

高B_r纳米晶Fe_(73)Cu_1Nb_2V_(1.5)Si_(13.5)B_9合金的铁损行为(II)中、高频损耗行为(英文)

在f=3-30kHz和Bm=0.1-1.0T范围内,研究了高Br纳米晶Fe73Cu1Nb2V1.5Si13.5B9合金的中频P/f的行为。在中频范围内,研究了“磁体”数n与过剩场Hexc的关系。结果表明,用损耗统计理论中的相关方程和参数能很好地描述中频损耗的非线性行为。在f=30-100kHz和Bm=0.05-1T范围内,研究了高频P/f对f的行为。在相当宽的高频范围内,P/f对f的行为呈现准线性性,可用线性方程P/f=Peh+Keclf很好地表示。所研究的频率范围大约可分为两个范围,在这两范围内,Peh和Kecl分别具有不同值。一系列计算表明,依据方程P/f=Ph+Pcl/f+Pexc/f的损耗分离和统计理论中的相关方程不适用于正确描述高频损耗行为。