Hg_(1-x)Cd_xTe的过热电子效应

研究了组分x=0.18～0.50的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在0.3～4.2K低温区和0～7T磁场强度下的过热电子效应,结果表明过热电子效应强烈依赖于样品的组份、电学参数以及材料的晶体质量。