薄膜边缘场发射电子源

利用薄膜边缘的强电场，可以制成场致发射电子源，它已成为真空微电子学的一个重要组成部分。这种类型的边缘场发射体阵列，杂散电容低，很适合于超高速器件，用它作成的开关元件，开关速度可达皮秒量级，在数字电路中亦有很好的应用前景。本文采用自对准的制作工艺，简单易行。在具体的实验过程中，边缘发射体阵列有两种，一种为锯齿状，一种为梳状，薄膜沉积采用了离子束溅射、射频磁控溅射两种方法，用晶体管特性图示仪和ＨＰ４１４０８在真空测试台中进行电参数测量，得到了二极管特性曲线，并对测试结果进行了分析和讨论。