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一种过零非对称高灵敏GMI磁敏传感器 被引量:1
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作者 何佳俊 李金贵 +3 位作者 金林枫 杨灿 张建强 方允樟 《传感器技术与应用》 2024年第1期46-53,共8页
针对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金薄带具有高灵敏GMI效应,但在微弱磁场下表现出不灵敏且线性度低问题提出内偏置解决方案。根据电磁感应,调节电路参数使流过电感线圈的电流改变,导致电感线圈两端的磁场发生相应变化;通过计算非晶薄带GM... 针对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金薄带具有高灵敏GMI效应,但在微弱磁场下表现出不灵敏且线性度低问题提出内偏置解决方案。根据电磁感应,调节电路参数使流过电感线圈的电流改变,导致电感线圈两端的磁场发生相应变化;通过计算非晶薄带GMI特性曲线的高灵敏线性区间,调整偏置电流大小,使零点偏置到线性区间的中心。利用此方法,传感器输出特性呈现出一种过零非对称形式,并在正负微弱磁场下具有更高灵敏度。本文介绍了Fe基合金薄带的巨磁阻抗特性、传感器的电路原理以及调节偏置电流后的测得的实验数据分析。通过实验结果显示传感器输出特性重复性好、基本无磁滞、线性度高,尤其在微弱磁场下灵敏度达22.53 mV/(A∙m−1)。 展开更多
关键词 内偏置 GMI磁敏传感器 过零非对称 高灵敏
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