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一种具有高线性度MOS采样开关的采样保持电路
1
作者
吴楚彬
张章
+1 位作者
於昌虎
解光军
《电子器件》
CAS
北大核心
2013年第5期651-655,共5页
提出了一种具有高线性度MOS采样开关的采样保持电路。该电路通过运放的共享,在采样阶段对开关管的栅极引入负反馈,有效地抑制开关导通电阻引入的非线性,实现了高性能的采样保持电路。该电路采用SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计,仿真结果表...
提出了一种具有高线性度MOS采样开关的采样保持电路。该电路通过运放的共享,在采样阶段对开关管的栅极引入负反馈,有效地抑制开关导通电阻引入的非线性,实现了高性能的采样保持电路。该电路采用SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计,仿真结果表明:在采样阶段,导通电阻大约只有0.2Ω的变化;在采样时钟为80 MHz,输入信号为30 MHz、0.5V pp时,无杂散动态范围(SFDR)达到了116 dB,比传统自举开关的SFDR提高了34 dB。
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关键词
采样保持电路
采样开关
运放复用
非线性
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职称材料
题名
一种具有高线性度MOS采样开关的采样保持电路
1
作者
吴楚彬
张章
於昌虎
解光军
机构
合肥工业大学电子科学与与应用物理学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2013年第5期651-655,共5页
基金
教育部高等学校博士学科点专项科研基金项目(20120111120008)
国家重点实验室开放课题基金项目(11KF001)
合肥工业大学博士专项基金项目(2011HGBZ0953)
文摘
提出了一种具有高线性度MOS采样开关的采样保持电路。该电路通过运放的共享,在采样阶段对开关管的栅极引入负反馈,有效地抑制开关导通电阻引入的非线性,实现了高性能的采样保持电路。该电路采用SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计,仿真结果表明:在采样阶段,导通电阻大约只有0.2Ω的变化;在采样时钟为80 MHz,输入信号为30 MHz、0.5V pp时,无杂散动态范围(SFDR)达到了116 dB,比传统自举开关的SFDR提高了34 dB。
关键词
采样保持电路
采样开关
运放复用
非线性
Keywords
sample /hold circuit
sampling switch
op-amp sharing
nonlinearity
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种具有高线性度MOS采样开关的采样保持电路
吴楚彬
张章
於昌虎
解光军
《电子器件》
CAS
北大核心
2013
0
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