基于近似核密度估计的近场多声源定位算法

针对混响环境下的近场多声源定位问题,提出了一种基于近似核密度估计(KDE)的算法模型。引入多阶段(MS)分频带处理有效解决宽间距时的空域模糊,同时,构建空域似然率函数(SLF)通过相加(S)及相乘(P)2种算子进行多维融合,从而衍生出S-KDE、P-KDE、S-KDEMS和P-KDEMS 4种算法。通过对均方根误差(RMSE)以及表征辨识度的SLF百分比(PSLF)这2个统计指标的综合比较,证实了P-KDEMS是一种具有较高稳健性与辨识度的近场多声源定位算法。

Ne-CH_4分子间相互作用势的局域密度近似计算(英文)

利用基于密度泛函理论框架下的局域密度近似方法对Ne-CH4分子间的相互作用势进行了计算。发现:当Ne原子和CH4分子之间的距离约为5.8a.u.时,计算的势能曲线存在最小值,对应的势阱深度约为0.053eV。计算结果与实验值符合较好。

以密度泛函论与局域近似法及改进过渡态计算软硬度

应用密度泛函论(DFT)及其局域近似法(LDA)、局域近似法加全域性校正(LDB: LDA GCE)和改进斯莱特过渡态法(MST), 并依能量型标度定义, 采用有限差分法(DDM), 同时考虑相对论效应, 对元素电离能 P和电子亲合能Q 及原子软硬度U等进行精确估计与理论预测. 把计算扩展到全部 112 种元素, 计算值相当文献值水平或优于其它近似泛函法, 更接近实验值. 该U值在分子模建与设计等方面将获广泛应用.

基于最大熵密度近似技术的16-QAM盲均衡算法

提出了基于最大熵密度近似技术的16-QAM盲均衡算法以提高均衡性能。通过分析和计算机仿真,比较了16-QAM在不同算法下的均衡性能。仿真结果表明,处理复杂信道(ISI值较高)以及高信噪比信道时,采用从非线性方程获得的新的拉格朗日乘数,收敛速度更快。

强场中真空正负电子对产生的低密度近似

在空间均匀含时的强外场下真空正负电子对产生的研究中,从散射势转变点的角度,严格证明了源于量子Vlasov方程的低密度近似方法(low density approximation,LDA)与半经典的WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)方法等价.通过对典型例子进行数值计算和说明,对这2种方法的等价性进行了检验.当有较多转变点时,WKB积分变得烦琐,相较而言,LDA更具有计算优势.本研究将量子动力学过程和量子隧穿过程联系起来,有助于深入理解强场下真空中正负电子对的产生过程.

固氩高压物态方程和弹性性质的密度泛函理论计算

用平面波赝势方法结合局域密度近似密度泛函理论(DFT-LDA)计算了零温下固态氩晶体在压力0～82 Gpa的p-V关系和弹性性质,计算结果与静高压实验数据符合较好,计算结果表明局域密度近似方法能较好地描述固氩晶体高压下的性质,采取合理的方法和计算参数,惰性气体固态晶体高压下的力学性质可以比较准确地计算出来,这可为一些还不能通过实验进行研究的物态分析提供借鉴.

使用密度泛函数因子产生非均一密度分布(英文)

通过使用体相流体径向分布函数 ,提出了一个关于经典密度泛函理论中权重密度型近似的方法学。目前的方法学是基于自由能密度泛函普适性概念与“试验”粒子方法。数值计算表明 ,对硬球流体在几种不同外场情形下的密度分布的预言 ,目前的方法是很精确的。讨论了目前的方法学的普适性 ,其物理基础也可应用于量子密度泛函理论。

密度泛函理论计算半导体材料的带隙误差研究

针对采用局域密度近似或广义梯度近似的密度泛函理论导致半导体材料的带隙计算值偏小的问题,选取砷化镓为研究对象,通过压缩晶格体积调节砷化镓的带隙,利用杂化泛函法与广义梯度近似法计算砷化镓的带隙。结果表明:利用局域密度近似或广义梯度近似法计算的带隙误差会随着砷化镓带隙的减小而减小,但当实际带隙为0时,利用局域密度近似或广义梯度近似法计算的带隙误差仍然存在;引起局域密度近似或广义梯度近似法带隙计算值偏小的主要原因是半导体材料价带的最大值和导带的最小值处波函数的不连续性。

交换关联泛函近似方法对Ru催化剂上甲烷和乙烷形成的影响

密度泛函理论作为多相催化研究中的一个强有力工具,常被用于获得催化过程中关键的热力学及动力学参数,如吸附能、反应焓、活化能垒和速率常数等,理解密度泛函交换关联近似方法对于揭示催化剂的催化性能及机理至关重要,本文报道了六种不同的交换关联泛函近似方法,包括PBE、RPBE、BEEF+vdW、optB86b+vdW、SCAN和SCAN+rVV10,对金属Ru(0001)和Ru(1011)表面上甲烷和乙烷形成过程中涉及到的中间体的吸附能、反应能和活化能垒的影响,当基元反应中反应物和产物与表面的配位数不同时,理论计算的反应能大小强烈依赖于交换关联密度泛函的选择.对于涉及多个基元步骤的总反应,反应能的计算偏差会逐渐累积,从而导致不同的交换关联泛函近似方法之间的巨大差异.由于不同泛函对反应涉及到的中间体吸附能之间存在差异,交换关联泛函近似方法的选择显著地影响Ru(0001)表面上甲烷、乙烯和乙烷的选择性.然而,不同泛函近似方法对于Ru(0001)和Ru(1011)表面上基元反应的能垒以及结构敏感性影响不大.本工作不仅揭示了交换关联密度泛函近似方法在理论计算研究催化领域的局限性,也强调了选择合适的交换关联泛函方法对于正确评估催化剂活性和选择性的重要性.

香鱼配合饲料挤压加工工艺优化研究

为了生产出低污染、高转化率的环保型香鱼沉性挤压饲料,以沉性香鱼配合挤压饲料膨化度、近似密度和水中稳定性为重要特性指标,采用单因素和正交试验研究了物料含水率、螺杆转速和螺杆温度对其挤压工艺和饲料特性的影响。结果表明:物料含水率、螺杆转速和螺杆中、后部温度均影响饲料膨化度、近似密度和水中稳定性,正交方差分析显示,螺杆后部温度对近似密度有显著影响。通过单因素和正交试验确定香鱼配合饲料挤压工艺条件为:物料含水率30%、螺杆转速90 r/min、螺杆后部温度90℃,此条件下挤压饲料产品的近似密度最大,水中稳定性也较好,能很好地满足香鱼的摄食要求。

元素Si和C对AlCo_2Ti晶体结构的理论研究

用广义梯度近似密度泛函和全势能线性缀加平面波方法研究了元素Si和C对AlCo2Ti晶体构的电子结构影响.,我们分别对杂质元素Si和C替代晶体AlCo2Ti中的Ti(1/2,1/2,1/2)位进行了对比研究.同时,对杂质元素Si和C对晶体AlCo2Ti的晶格常数、体弹模量和原子之间的化学键产生的作用进行了探讨.

用第一性原理研究AlCu_2Ti晶体的电子结构(英文)

用广义梯度近似密度泛函和全势能线性缀加平面波方法,研究了AlCu2Ti的电子结构.结果表明,总的态密度不仅依赖于过渡金属的位置,而且过渡金属的dDOS在价电子的杂化中起着关键作用.铝的3s态被排斥远离费米能级,铝的3p态比d态更扩展.总的态密度由铝的3p态调节,并且在电子间的相互作用中,铝的3p态比d态更敏感.特别地,AlCu2Ti表现出较平的DOS和弱的金属性.

Co_2Ti_(1-x)M_xA(lX=0,1/4;M=C,Si)晶体的电子结构的第一性原理研究(英文)

用广义梯度近似密度泛函和全势能线性缀加平面波方法研究了晶体Co2Ti1-xMxA(lX=0,1/4;M=C,Si)的电子结构.为了更好的了解杂质元素对晶体AlCo2Ti结构的影响,对杂质元素M(M=C,Si)替代晶体AlCo2Ti中的Ti(1/2,1/2,1/2)位进行了对比研究.同时,对杂质元素M(M=C,Si)对晶体AlCo2Ti的晶格常数、体弹模量和原子之间的化学键产生的作用进行了探讨.

l_∞度量意义下的离群点检测

离群点检测的目的是与应用场合密切相关的,检测结果与离群数据的描述方法密切相关。从离群点检测的基本原理出发,在l∞度量意义下给出关于离群点的定义,用于解决一类高维大规模数据集中的离群点检测问题,并提出高效的离群点检测方法。实验结果证明了其显著的优越性。

MgB_2状态方程的第一原理计算(英文)

利用基于局域密度近似框架下的第一原理平面波方法,结合HGH型相对论分析赝势,对MgB2的晶格参数和状态方程进行了计算,所得结果与实验值及其他理论得到的计算值相符合。

Si表面Si-OH、SiO2结构的LDA与GGA研究

在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和SiO2结构的计算.

高压下碳化钛热力学性质的第一性原理计算

碳化钛熔点高、硬度高、化学性能稳定性好,工业上主要用来制造金属陶瓷、耐热合金和硬质合金.采用平面波密度泛函理论广义梯度近似计算了碳化钛的弹性常数、晶格常数、体积模量,所得结果与实验和其它理论值相一致;通过准谐德拜模型预测了碳化钛的相对体积与压强,体积模量分别与压强和温度,热容与温度的变化关系,结果表明:温度对体积模量的影响远小于压强对体积模量的影响.该研究对碳化钛在高温高压下的应用具有指导意义.

碱金属团簇Na_2在重离子作用下的离化

在时间相关的局域密度近似理论框架下研究了重离子Ar8+ 和碱金属团簇Na2 随时间演化的相互作用 .给出了电子系统的总能量 ,产生Na2 的各种电荷态的几率和Na2 价电子的平均逃逸数等物理量随时间的演化 ,进而得到了Na2 的离化几率 .在快重离子与团簇作用中 ,可以得到低激发态的团簇离子 .

简谐势阱中弱相互作用玻色气体的临界温度及基态粒子占据率

应用局域密度近似法 (LDA)对简谐势阱约束下的非理想玻色气体发生玻色 爱因斯坦凝聚 (BEC)时的临界温度作出计算 ,进而讨论了弱相互作用对临界温度及基态粒子占据率的影响 .

压力对有序Li_xTiS_2电子性质的影响

采用基于密度泛函理论的局域密度近似(LDA),计算了压力对LixTiS2(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的晶格结构和电子结构的影响。研究发现,对于同一Li含量的LixTiS2,随着压力的增大,LixTiS2的晶格参数有规律的减小,插层化合物中Li的含量越高,材料越难被压缩;在压强等于1 GPa左右时各体系的总能量达到最小值。各体系的费米能级随着压力的增大而降低;各原子的电子能态密度产生了漂移,压力还导致了S原子和Ti原子p-d杂化减弱。Li原子和S原子的共价相互作用得到了增强。