紫外激光诱导近化学计量比钽酸锂晶体铁电畴反转

对紫外激光诱导近化学计量比钽酸锂晶体铁电畴反转进行了实验研究。波长为351 nm的连续紫外激光被聚焦在近化学计量比钽酸锂晶体的-z表面,同时沿与晶体自发极化相反的方向施加均匀外电场。实验证实紫外激光辐照可以有效地降低晶体畴反转所需的矫顽电场,采用数字全息干涉测量技术检测证实在激光辐照区域实现局域畴反转。研究表明采用紫外激光诱导可以实现对近化学计量比钽酸锂晶体铁电畴反转的局域控制。提出了物理机理的理论分析,认为外电场和激光辐照场的共同作用在晶体内部产生高浓度、大尺寸的缺陷结构,缺陷一定程度上降低畴体成核和畴壁运动所需要克服的退极化能和畴壁能,实现激光诱导畴反转。

均匀周期极化化学计量比钽酸锂晶片的制备

采用添加助熔剂(K2O)的方法,成功制备了近化学计量比钽酸锂晶体,并基于1mol%MgO掺杂的化学计量比钽酸锂晶体周期性畴反转制备光参量振荡器(OPO)。通过在晶片表面形成占空比为60%的聚酰亚胺周期结构并利用液体电极施加极化电压,运用三步电压极化技术,制备出Z向切割1mm厚的均匀周期极化化学计量比钽酸锂晶片,晶片的畴反转占空比接近50%。

近化学计量比Fe:LiTaO_3晶体的光折变性能

采用顶部籽晶溶液法（TSSG），生长直径约10-15mm，长度为10mm的近化学计量比掺铁铌酸锂（Fe：SLN）和近化学计量比掺铁钽酸锂（Fe：SLT）晶体．采用二波耦合全息法测量了晶体的记录时间，擦除时间和饱和衍射效率；采用光斑畸变法测量了抗光损伤阈值．与Fe：SLN晶体相比，Fe：SLT晶体的饱和衍射效率降低，记录时间减小，抗光损伤能力显著提高，Fe：SLT晶体的抗光损伤闽值为420MW／cm^2。

近化学计量比Zn:LiTaO_3晶体的生长和抗光折变性能

采用顶部籽晶溶液法,生长了直径约15mm,长度为10mm的近化学计量比钽酸锂(near-stoichiometric Li TaO3,SLT)和Zn掺杂的近化学计量比钽酸锂(Zn:SLT)晶体。生长的晶体无色透明,没有宏观缺陷。通过X射线粉末衍射法测试晶体结构和晶格参数,Zn:SLT晶体的晶格参数小于未掺杂的SLT晶体。与同成分钽酸锂晶体相比,SLT晶体的抗光损伤能力显著提高,Zn:SLT晶体的抗光损伤阈值大于500MW/cm2。