K_2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长的近化学计量比LiNbO_3晶体性质的比较

分别采用K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长了近化学计量比LiNbO3 晶体。比较了两种方法生长的晶体紫外吸收边和红外吸收谱的差别,光谱结果表明,K2O助溶剂提拉法生长的晶体组成非常均匀,而富锂提拉法生长的晶体组成不均匀,沿晶体生长方向,Li2O含量逐渐增加。另外,两种生长方法中,籽晶表面均看到螺旋状环,分析了其产生原因。

掺镁近化学计量比LiNbO_3晶体的生长

利用提拉法,从掺入11mol％KzO和1mol％MgO的化学配比LiNbO3熔体中生长了高质量的掺镁近化学计量比LiNbO3晶体.与同成分LiNbO3晶体相比,紫外吸收边发生明显蓝移,OH-红外吸收峰的位置和波形也发生了显著的变化,初步断定晶体中Mg2+的掺杂浓度已达到抗光伤阈值浓度.酸腐蚀结果表明,晶体具有区域性单畴结构.

坩埚下降法生长近化学计量比Cr∶LiNbO_3晶体及光谱研究

以K2O为助熔剂,在较大的温度梯度(60～80℃/cm)条件下进行引种和晶体生长,应用坩埚下降法技术生长了Cr3+掺杂的近化学计量比的LiNbO3晶体。采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)分析了晶体的主要成分,其中Cr3+、Li2O、Nb2O3的含量分别为0.62mol%、49.23mol%和50.15mol%,并在FT-IR谱中观察到了因组分变化引起的OH-伸缩振动的变化。测定了晶体的吸收与发射光谱,观测到Cr3+在晶体中有两个宽且强的吸收带及两个微弱的吸收线,两宽带中心波长分别为480nm与658nm,对应于Cr3+的4A2→4T1与4A2→4T2两个具有相同的总自旋能级之间的跃迁,并观测到了微弱的684nm和728nm的R线吸收。同时测定了Cr3+∶LiNbO3晶体在670nm激发下的荧光光谱,是由4T2→4A2跃起所产生的850～1150nm的宽带荧光发射发光带,此发光带是由于取代Li+与Nb5+格位的Cr3+的4T2→4A2能级跃起的复合发光所致,并计算了该晶体的晶场强度以及Racah参数等。

近化学计量比LiNbO_3晶体电畴结构观察和机理探讨

采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长了各种不同成分的近化学计量比LiNbO3晶体,并用腐蚀法观察了其电畴结构.结果表明,化学成分对未经极化处理晶体的电畴结构起决定性作用,当Li2O含量处于49.4mol%附近时,晶体z面电畴呈现特殊的三次对称反畴;当晶体中Li2O含量为49.7mol%时,晶体为完全单畴.本文对其形成机理进行了探讨,认为在由顺电相向铁电相转变时,局部铁电畴的极性方向与该处沿z轴方向的温度梯度正负密切相关,z轴生长晶体时,由于相变发生所处位置离生长界面的距离受LiNbO3晶体计量比影响,所处温场固有温梯也随之不同,在此基础上解释了不同成分晶体的电畴结构形成原因.最后讨论了控制铁电畴结构的工艺措施.

近化学计量比LiNbO_3晶体畴结构研究

利用提拉法,从富锂(L i2O:Nb2O5=58.5:41.5)熔体中生长了40mm×40mm的近化学计量比铌酸锂晶体。用同步辐射异常散射技术结合化学腐蚀法观察了晶体中的畴结构,在y方向发现存在180°反向铁电畴结构,而另外的N-SLN单晶z向切片为单畴结构,表明了所生长的近化学计量比铌酸锂晶体具有区域性单畴。

助熔剂坩埚下降法生长近化学计量比Co:LiNbO_3晶体

以K2O为助熔剂，在较大的温度梯度（90～100℃／cm）条件下进行引种和晶体生长，应用坩埚下降法成功地生长出了初始Co^2＋掺杂浓度为0．5mol％的近化学计量比的铌酸锂晶体。测定了该晶体的红外光谱与吸收光谱，与同成份的LiNbO，晶体相比，其紫外吸收边向短波方向移动，OH^-红外吸收峰的位置发生变化。观测到520，549，612nm三个分裂的尖吸收峰以及1400nm左右为发光中心的吸收带。从吸收特性可以判断，Co离子在铌酸锂晶体中呈现＋2价。比较上部与下部晶体的吸收强度，可以推测出沿着晶体生长方向Co^2＋离子浓度逐渐降低，Co^2＋离子在晶体中有效的分凝系数大于1。

Zn,Co双掺杂近化学计量比LiNbO_3晶体的生长及性能

以K2O为助熔剂,应用坩埚下降法生长出了Co2+初始浓度为0.5mol%,以及ZnO分别为3mol%与6mol%的单掺与双掺杂SLN晶体(分别用SLN0,SLN3,SLN6表示)。测定了晶体上下部位的吸收与发射光谱。在晶体的吸收光谱中均可观察到520nm,549nm,612nm,1447nm四个吸收峰,表明Co2+处于晶体的八面体场中。ZnO的掺入明显地改变了吸收峰的相对强度。在520nm光的激发下,观察到776nm的荧光发射,其荧光强度的相对强弱也与ZnO的掺杂量有明显的联系。从吸收边带估算出SLN0,SLN3,SLN6晶体中Li2O的含量分别为49.06mol%,49.28mol%,49.10mol%。ZnO的掺杂量对Co2+在铌酸锂晶体中的浓度分布有很大的影响作用,当ZnO的掺入量为3mol%时,明显地抑制了Co2+在LiNbO3晶体中的掺入,当ZnO掺杂量达到6mol%时,抑制作用减弱。本文从Zn2+在LiNbO3中随浓度变化的分凝情况以及对Co2+的排斥作用解释了Co2+在晶体中的分布特性以及光谱的变化情况。

近化学计量比Mn∶LiNbO_3晶体的助熔剂坩埚下降法生长研究

以K2O为助熔剂，在较大的温度梯度（90-100℃／cm）条件下进行引种和晶体生长，应用坩埚下降法技术成功地生长出了初始Mn^2＋掺杂浓度为0．5％（摩尔分数）的近化学计量比的铌酸锂晶体。用X射线衍射表征了获得的晶体，并计算了晶体的结构参数。与同成分的铌酸锂晶体相比，样品的晶格常数略变小，紫外吸收边向短波方向发生了移动。测定了晶体的吸收与发射光谱，观测到吸收中心在571nm（6A1g（^6S）→T1g（^4G））的吸收宽带以及发光中心约620nm（^4T1g（^4G）→^5A1g（^6S））的红色荧光带。从晶体上部与下部的颜色以及吸收强度的变化，可初步推测出沿着晶体生长方向Mn^2＋离子浓度逐渐增加，Mn^2＋离子在晶体中有效的分凝系数〈1。

近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO_3晶体生长及其光学性能

以K2O作为助熔剂,采用顶部籽晶熔融法生长近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试了晶体的紫外-可见吸收光谱、红外光谱、抗光损伤能力以及衍射效率。结果表明:随掺Mg量的增加,近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的紫外吸收边先紫移后红移,晶体的衍射效率减小,抗光损伤能力增加。OH-吸收峰出现双峰结构,给出了掺杂离子的占位模型。晶体中[Li]/[Nb]比在49.7～49.8%之间。确定了掺Mg的阈值浓度在2～3%(物质的量百分比,下同)之间。

近化学计量比LiNbO3晶体各向畴形态的研究

本文对采用双坩埚提拉法生长的近化学计量比LiNbO3 晶体沿其各向切块腐蚀后通过直接观察和在金相显微镜下观察,对其各个面的畴结构进行了分析。我们发现晶体a面上由于镜相对称不反映畴结构,b面和c面上的腐蚀形貌则完全显露而且按一定的方向整齐地排列,证明我们生长的SLN晶体是完全单畴结构的晶体。

由3-二茂铁-2-丁烯酸根和1,10-邻菲啰啉构筑的一维链状铅(Ⅱ)配位聚合物的合成、晶体结构及电化学性质

Pb(OAc)2·3H2O,3-二茂铁-2-丁烯酸钠以及1,10-邻菲啰啉在甲醇中反应得到了铅的配位聚合物:[Pb(μ-OOCCH=C(CH3)Fc)(μ2-OOCCH=C(CH3)Fc)(phen)]n(Fc=(η5-C5H5)Fe(η5-C5H4);phen=1,10-邻菲啰啉).单晶测试表明:每个铅离子为六配位,其中4个氧原子来自4个3-二茂铁-2-丁烯酸根,另2个氮原子来自邻菲啰啉;相邻的铅离子通过3-二茂铁-2-丁烯酸根的单齿和双齿氧原子桥连形成了一个无限的一维长链.研究了标题化合物在DMF溶液中的电化学性能.

LiNbO_3晶体中Yb^(3+)的配位场能级分析

In C3v point group symmetry, crystal field energy levels of Yb3+ in LiNbO3 were assigned on the basis of DSCPCF model and PCF model. As compared with the experimental values of crystal field energy levels, the root mean square standard deviation is 16.09cm-1 for the calculation of the DSCPCF model and is 30.30cm-1 for the PCF, respectively. This result shows that the DSCPCF model can fit the experimental values of crystal field energy levels better than the PCF model. At the same time, Absorption spectra and Emission spectra of Yb3+ in LiNbO3 were analyzed and the peaks that appear in Figures were also assigned reasonably.

化学计量比LiNbO_3晶体的畴结构及完整性研究

本文对用助熔剂提拉法生长的两种化学计量比LiNbO3 晶体进行了测试分析 ,并与同成分LiNbO3 晶体相比较。通过差热分析和X射线粉末衍射测试 ,得出随着晶体中Li2 O含量的增加 ,其居里温度变高 ,晶格常数变小。用酸腐蚀晶体 ,通过直接观察和金相照片 ,分析其畴结构 ,得出SLN11是单畴生长 ,首次观察出SLN19晶体在Z切面上出现了三块面积较大的对称反畴区 ,将其称为区域性单畴。另外 ,还对晶体在 (0 0 1)方向抛光面的不同位置测量了其回摆曲线 ,得到了其中SLN19晶体有着较完整的结晶面。期望通过改变生长参数 ,长出完全单畴且更加接近化学计量比的LiNbO3

掺铁近化学配比铌酸锂晶体的二波耦合特性研究

生长了铁掺杂(质量分数分别为25×10-6,50×10-6,100×10-6以及200×10-6)的近化学配比铌酸锂(SLN)晶体.用中心波长为532 nm的半导体激光器对晶体进行了二波耦合实验,测得了二波耦合的相应时间和有效增益系数随掺杂浓度、入射光总光强、写入光光强比以及入射光偏振方向的变化情况.实验结果表明,掺杂浓度越高,总入射光强越大,入射光光强比越小,都能导致响应时间减小,并且e光的响应时间要小于o光的响应时间;入射光光强比越大,有效增益系数越大,e光的有效增益系数要大于o光,而掺杂浓度对有效增益系数没有明显的影响.

两个单核镉配合物Cd(2-SC_5H_4NH)_2I_2和Cd(2-SC_5H_3NH-3-CH_3)_2I_2的合成与晶体结构

以 2 巯基吡啶及它的衍生物 3 甲基 2 巯基吡啶为配体 ,合成了两个结构类似的单核镉配合物Cd(2 SC5H4 NH) 2 I2 和Cd(2 SC5H3NH 3 CH3) 2 I2 ,并用X射线单晶衍射法测定了晶体结构 .

基于化学计量比Mg:Fe:LiNbO_3的全息存储系统

以K_2O为助熔剂,采用顶部籽晶熔融法成功地生长出近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO_3(Mg∶Fe∶SLN)晶体。测量了晶体的紫外吸收光谱及响应时间,且和同成分Fe∶LiNbO_3(Fe∶CLN)晶体作了比较。结果表明,Mg∶Fe∶SLN晶体更适于作为全息存储器来应用。针对全息存储中固有的高原生误码率问题,采用快速响应矩阵码(QR)编码技术对原始数据进行编码,缓解了对系统设计和部件质量等方面的压力。以Mg∶Fe∶SLN晶体作为存储介质,构建了体全息存储系统,将QR码编、译码技术用于包含音频和视频的多媒体数据的全息存储,重构数据能成功回放。

掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长

报道了掺镁近化学计量比的LiNbO_3晶体的生长、紫外和红外透过谱以及该晶体的晶格常数。

近化学计量比铌酸锂晶体组分测定与缺陷观察

采用助熔剂提拉法生长得到近化学计量比L iNbO3晶体。用多种方法测定了晶体组分,结果表明生长得到的晶体中[L i2O]含量为49.80%摩尔分数;对晶体缺陷的研究表明晶体质量有待提高,并分析了晶体中出现包裹物的原因。

以K_2O助熔剂生长LiNbO_3晶体的研究

通过在同成分的熔体中加入0～10％(质量分数)的K2O提拉法生长了近化学计量比的LiNbO3晶体。用测量晶格常数和居里温度的方法测定了[Li]/[Nb],结果表明加入到同成分的熔体中的K2O的量决定了晶体中的[Li]/[Nb]。对这种方法生长的LiNbO3晶体的缺陷和畴结构进行了分析和研究。

近化学配比LiNbO_3晶体双色光全息记录的实验研究

实验用红光记录紫光敏化,研究了几种不同掺杂浓度和氧化还原状态的近化学配比铌酸锂晶体的双色全息记录特性,如其饱和衍射效率和记录灵敏度的变化规律。实验结果表明,晶体的饱和衍射效率随透射光强与紫外光强比值的增加先增加后减小,而记录灵敏度在不断减小。Mn含量相同时,Tb含量越高的晶体饱和衍射效率越高,而记录灵敏度越低。Tb含量相同时,含Mn比不含Mn的晶体的饱和衍射效率低,但记录灵敏度更高。还原晶体的饱和衍射效率和记录灵敏度均比氧化晶体高。记录光与敏化光的比值、掺杂浓度和氧化还原状态对晶体的全息特性产生影响。通过适当调整上述参数之间的关系,可对材料的全息记录特性进行优化。