高密度近场光存储技术

对不同类型光纤的近场光场分布进行了比较,从光学性质的角度对其在近场光存储中的应用进行了讨论,并从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了高密度近场光存储技术的基本原理、研究现状和存在的问题.

光致变色二芳烯掩膜及在近场光存储中的应用

合成了在超分辨率近场结构(Super-RENS)存储方式中适合做掩膜层和记录层材料的两种全氟二芳烯,旋涂法制备了实验存储盘片,并进行了近场存储实验.初步的实验表明,光致变色二芳烯掩膜层可以缩小聚焦激光的直径,得到小尺寸记录信息.掩膜层中二芳烯的浓度,对近场存储结果影响很大,存在一个最佳浓度使记录光斑的尺寸减少到最小.

采用Super-RENS的超高密度光存储器

光盘播放机中的光斑大小相当于唱机中的唱针粗细。光斑越小，光盘(光存储器)的容量可以越大。但是众所周知，用透镜会聚的光斑大小在瑞利衍射极限时为0．61λ／NA，在光盘中所采用的分辨率极限约为0．25／λ／NA。也就是用可见光读出的最小光斑约为100nm(纳米)。这时，波长(λ)=400nm，数值孔径(NA)=1．0。

近场光学在高密度存储中的应用

近场光学在高密度存储方面有着很大的潜力 ,使得近场光学存储近年来得到了广泛的关注。近场光学存储具有高密度大容量及可以利用许多已有相关技术等优点 ,预计近场光学存储密度能达到 7Gbit/ cm2 ;它还可以采用硬盘驱动器中的空气悬浮磁头技术和磁光存储中的技术等 ,使近场存储的研究和开发更加迅速。目前 ,近场光学存储主要有三种方案 :探针型方案、超分辨率近场结构、固体浸没透镜方案 ,这三种方案都是通过不同的方法缩小记录光斑来实现高密度的存储。介绍了近场光学存储的原理、研究现状及材料 ,并对三种近场存储方案的实现方法和发展概况作了详细的阐述 。

近场光学高密度数据存贮技术

近场光学存储具有高密度、大容量及可利用已有相关技术等优点，近年来得到广泛关注。该文介绍了近场光学存储的原理及研究现状。对三种主要的近场光学存储方案，即探针型方案、超分辨率近场结构、固体浸没透镜方案，在实现方法和关键技术方面做了详细的阐述，并分析了这三种方案的优缺点。

基于近场激发与增强的新型多层纳米薄膜结构在非线性光学器件上的应用与发展前景

传统光学引入了远场衍射的尺度极限。自从提出了近场光学技术以来 ,由于近场扫描光学显微镜 (NSOM)系统的复杂性而使得近扬的引入和利用变得困难。具有多层纳米薄膜结构的超分辨近场结构 (Super RENS)的提出改变了这种局面 ,并在诸如超高密度光学数据存储、近场光刻技术、纳米光子学晶体管等领域获得了重要的应用。围绕Su per RENS技术 ,通过综述它的基本原理、物理机制以及各项应用 。