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Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质
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作者 甄聪棉 郭文哲 +2 位作者 刘璐 田之雪 侯登录 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2020年第4期302-307,共6页
改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo2O4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃... 改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo2O4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃迁为主. 展开更多
关键词 NiCo2O4 外延薄膜 导电机制 变程跃迁 近程跃迁
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