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BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下的近紫外光吸收增强现象研究 被引量：2
1
作者 张琦锋 侯士敏 +4 位作者 邵庆益 刘盛 刘惟敏 薛增泉 吴锦雷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期2089-2093,共5页
通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试 ,实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强 .理论分析表明 ,BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜 ,价带... 通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试 ,实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强 .理论分析表明 ,BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜 ,价带电子隧穿带间位垒而在带隙中出现的概率增加 ,近紫外波段光吸收增强是光子协助隧道穿越的结果 .不同能量光子激发下电场作用引起的BaO薄膜光吸收增强现象是夫兰茨 凯尔迪什 (Franz Keldysh)效应和斯塔克 (Stark) 展开更多
关键词 半导体薄膜 氧化钡 近紫外光吸收增强现象
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