基于BCPO发光材料近紫外有机发光二极管的电致发光效率与稳定性

近十年来,制备近紫外有机发光二极管成为有机电子学领域的研究热点之一.但是当器件的电致发光波长延伸到400 nm以下后,对器件中各功能层的材料选择提出了更高要求.本实验中,以宽带隙小分子材料BCPO(bis-4-(N-carbazolyl)phenyl)phenylphosphine oxide)为发光层,基于BCPO的发射光谱确定了电子传输材料和空穴传输材料,制备了电致发光峰位波长在384 nm附近的近紫外有机发光二极管.在最佳的器件结构下,器件的最大外量子效率达到2.98%,最大辐射功率达到38.2 mW/cm^(2).电致发光谱中波长在400 nm以下的近紫外光占比为57%.结果表明器件在恒压模式下展示了良好的稳定性,此外,对影响器件稳定性的多个关键因素给予了深入的分析.

近紫外光激发CaLa_(2-x)ZnO_5∶Eu_x的合成和发光性能

采用高温固相法合成了近紫外光激发CaLa2-xZnO5∶Eux（x＝0．01～0．2）,研究了 Eu3＋掺杂浓度对晶体结构、形貌和光谱性能的影响.对样品分别进行了 X 射线衍射（XRD）物相分析、扫描电镜（SEM）测试和荧光光谱测定（PL）.结果表明,该荧光材料为CaLa2 ZnO5单一相,属四方晶系空间群结构,形貌规则,尺寸为3～4μm,激发峰范围为250～475 nm,最强锐峰位于395 nm,发射主峰均位于625 nm,发光最强时,Eu3＋掺杂量为10％（摩尔分数）.该荧光材料能有效地吸收350~475 nm 的近紫外光,发出较强的红光,适用于近紫外光激发的白光LED.

近紫外光激发的新型蓝色荧光粉SrZnO2：Bi^3＋的合成与发光性能

采用柠檬酸溶胶．凝胶法合成了SrZnO2：Bi^3＋和SrZnO2：Bi^3＋，M^＋（M=Li，Na，K）新型蓝色荧光粉。通过X射线粉末衍射、紫外-可见吸收光谱以及荧光光谱对样品进行了表征。结果表明，其激发谱是由位于250、365nm处的两个宽峰组成，该样品能有效吸收近紫外光。在不同波长的紫外光激发下，样品都发出较强的蓝色荧光，发射谱的峰形和峰位基本相同，最大峰位在455nm附近。SrZnO2基质中Bi^3＋的最佳掺杂浓度较低，仅为1．40％。共掺杂碱金属离子既能增强SrZnO2：Bi^3＋荧光体的激发和发射强度，也可以导致激发峰的劈裂。其中以共掺Li^＋离子的效果最好,SrZnO2：Bi^3＋，Li^＋能有效地吸收365-400nm的近紫外光，发射出较强的蓝光，是一种新型白光发光二极管用蓝色荧光粉。

用于宽谱带发射白色发光二极管的黄色荧光粉Sr_(8)MgAl(PO_(4))_(7)∶xEu^(2+)的制备及发光性能

通过高温固相反应合成了一系列宽谱带发射黄色荧光粉Sr_(8)MgAl(PO_(4))_(7)∶xEu^(2+)(SMAP∶xEu^(2+)),并对其物质结构、发光性能及其在白色发光二极管(WLED)领域的应用进行了探究。X射线衍射(XRD)测试结果表明,SMAP∶xEu^(2+)系列荧光粉具有单斜结构和C2/m空间群,激活剂Eu^(2+)离子能够很好地进入SMAP基质中并占据Sr2+离子的晶格位点。漫反射光谱分析显示SMAP基质属于宽带隙材料,带隙宽度为3.60 eV。此外,SMAP∶xEu^(2+)具有较宽的激发范围(280~500 nm),对应于Eu^(2+)离子的4f 7→4f 65d1跃迁;在380 nm近紫外光激发下,呈现出450~800 nm的多发光中心的非对称黄光发射,发射峰位于590 nm处。基于高斯多峰拟合结果,得到3个发光中心,分别位于528、600和680 nm。最后,将已制备的黄色荧光粉SMAP∶0.05Eu^(2+)与商业化蓝粉BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu^(2+)混合涂覆到400 nm芯片上制得色温较好(3344 K)、显色指数较高(90.1)的WLED。

近紫外光激发的新型蓝色荧光粉YV_xP_(1-x)O_4:Ta^(5+)的合成与发光性能

采用高温固相法成功合成了Y(V,P)O4:Ta荧光粉,并利用XRD,激发光谱和发射光谱对所合成粉体的物相结构及发光性能进行了表征。实验结果表明:粉体的结构属于锆英石结构;粉体在310 nm波长的激发下,发射光谱的主峰位于450 nm,属于Ta5+的3p63d10→3p53d104d1跃迁,当n(V)/n(P)为0.3/0.7和Ta5+的摩尔掺杂浓度为0.01时,粉体的发光性能最佳;用不同浓度NH4NO3做助熔剂制备YV0.3P0.7O4:Ta50.+01荧光粉,发现NH4NO3的摩尔浓度为5%时,粉体的发光强度最强。

Eu^3+,Tb^3+共掺杂的NaGd(WO4)2颜色可调荧光粉的水热合成及发光性质研究

在不添加任何模板剂的情况下,采用温和水热法,制备了一系列NaGd0.96-x(WO4)2∶0.04Tb3+,xEu3+(x=0,0.005,0.01,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.12,0.14,0.16,0.18)荧光粉。采用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及荧光分光光度计分别对所得样品的物相结构、形貌粒度及发光性能进行分析表征。结果表明:所合成的样品为NaGd(WO4)2的纯相,属四方晶系白钨矿结构。其形貌为规整的四方盘形,尺寸均一、分散性良好。系列样品均能被近紫外光有效激发,通过改变NaGd(WO4)2中Eu^3+/Tb^3+的掺杂浓度,实现了对荧光粉发光颜色由绿色到红色的全色调控。

铈镨共掺杂YAG透明陶瓷的发光性能

为了改善大功率白光发光二极管(WLED)散热、老化及传统发光方式红光缺失的问题,通过均相共沉淀法和真空烧结制备了铈镨共掺杂钇铝石榴石(YAG)透明陶瓷。实验结果表明:在450 nm波长激发下,铈镨双掺杂陶瓷存在530 nm的黄绿光和609 nm的红光特征发射峰,发光波长覆盖500 nm到650 nm,陶瓷发射光强度明显强于荧光粉。激发谱在340 nm处有强而宽的吸收带;采用340 nm的紫外光激发陶瓷样品也呈现530,609 nm特征发射峰。530,609 nm处的发射光强度与450 nm激发相近,在紫外光激发LED上具有一定的应用前景。

白光LED用单一基质白光荧光粉的研究进展

白光LED以其独特优势被称为第四代光源,具有广阔的应用前景。单一基质白光荧光粉(SMWP)因颜色稳定、色彩还原性好,成为白光LED用光转换材料的研究热点。概述了由近紫外LED芯片激发的白光荧光粉的研究现状,指出了该荧光粉存在的问题并对其发展趋势做了展望。

Eu^3＋，Li^＋共掺杂ZnO：Zn荧光粉的制备及发光性质

在还原气氛下利用高温固相反应法制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO:Zn荧光粉。在近紫外光激发基质条件下,该荧光粉材料具有强的来自Eu3+的4f组态内跃迁线状发射及来自基质缺陷相关的绿色可见宽带发射。测量了稳态光谱,漫反射及时间分辨光谱以研究该材料的发光性质及基质向稀土离子的能量传递过程。在还原气氛下因在导带下形成了一系列浅施主能级,暂时储存激发能,施主中心浓度增加使得基质向稀土离子的能量传递效率增强。通过与纯Eu2O3粉末的光谱对比分析,确定了在此材料体系中存在处于两种局域环境的Eu3+。由于在近紫外区的强且有效的吸收,此材料有望成为应用于近紫外激发发光二极管的新型荧光粉。

木质LED电子入门之——会验钞的小老鼠

（1）认识以下电子元器件：纽扣电池、按钮开关以及紫色发光二极管（LED）；（2）了解发光二极管（LED）单向导电的特性。知道紫外发光二极管是指可发出波长约400nm的近紫外光。生活中通常用紫外光来识别钞票是否伪造，用它可以使荧光物质发出更亮的光；