量子阱态光电子谱研究的理论模型

近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究。为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型。介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量子阱态在光电子谱中峰位和线宽。线宽由准粒子寿命的倒数,以及电子在表面和界面反射系数的和R决定,电子波矢k以及电子在表面和界面相位移之和Φ决定了峰的位置。

高类金属含量Ni基非晶合金总有效传导电子数的估算

从近自由电子模型出发，考虑到类金属原子外壳层ｓ、ｐ电子向过渡金属原子未满ｄ壳层空位的迁移，提出了一种估算高类金属含量ＴＭＭ非晶合金总有效传导电子数的方法，通过与Ｎｉ基非晶合金Ｈａｌ系数和低温电子比热实验数据的比较。