与铁磁电极耦合的双量子点中近藤效应的研究

研究了与铁磁电极耦合的串连双量子点中的平衡和非平衡近藤效应,同时考虑了两侧电极中自旋极化的态密度为平行和反平行的情况。结果表明,每个量子点的平衡态密度在平行情况下只有一个尖峰,当有外加偏压的时候,这个尖峰将分裂为两个;在反平行情况下,每个量子点的平衡态密度有两个尖峰,分别对应与电子的两种不同自旋取向,自旋向下和向上的态密度双峰之间的距离将在外加偏压的影响下分别增大和减少。在反平行情况下,每一种自旋成份的微分电导只有一个尖峰,并且分别在费米面之上和之下;而在平行情况下,每种自旋成份的微分电导都有两个尖峰,其中自旋朝下的微分电导尖峰较高。

近藤虫疠霉分类地位的分子证据

对近藤虫疠霉和伊萨卡虫瘴霉的18SrRNA基因进行克隆测序(登录号分别为AF351133和AF351134)，并于GenBank中的新蚜虫疠霉相应序列(登录号AF052405)进行比较。近藤虫疠霉有43个碱基差异，而伊萨卡虫瘴霉仅有38个碱基差异。这证明近藤虫疠霉作为一个独立的种存在是合理的。系统发育进化树发现近藤虫疠霉和伊萨卡虫瘴霉的亲缘关系比它和新蚜虫疠霉更近。这对Humber的新系统提出了异议。

一维关联电子系统中的近藤问题

本文主要研究了一维导体中的磁性杂质问题 .具体系统包括拉廷格液体系统、一维铁磁系统、半金属系统和自旋梯子系统等 .

纳米材料锰掺杂量子点中的近藤效应

采用非平衡格林函数方法,探讨了量子点掺杂锰原子纳米材料的低温输运特性。结果表明,输运受到掺杂锰原子的强烈影响。具体来说,在微分电导中出现(2S+1)个近藤劈裂峰,锰原子表现为一个多值量子化有效磁场,导致这种劈裂。

石川达三《活着的士兵》中近藤的战争创伤

《活着的士兵》通过对侵华日军南京进攻作战的真实刻画,从一个侧面反映了日军士兵所受的战争创伤,揭示了战争,尤其是侵略战争对人性的巨大戕害。"近藤"这一人物深受战争所导致的创伤后应激障碍困扰,因过度警觉而犯下虐杀中国百姓的暴行,事后为缓解焦虑创痛,虽竭力回避对自身暴行的思考,但仍无法摆脱创伤反复闯入性重现的困扰,最终导致他人性严重扭曲,精神几近崩溃。

拓扑近藤绝缘体SmB_(6)中的奇异电子性质

拓扑近藤绝缘体是一种本征的强关联拓扑电子体系,其体能隙来源于近藤关联效应。自2010年拓扑近藤绝缘体的理论概念被提出后,六硼化钐(SmB_(6))作为第一种被预测为拓扑近藤绝缘体的材料在这十多年中被多种实验手段反复研究验证,被广泛接受认为是第一种拓扑近藤绝缘体。在这篇综述中,我们回顾了关于SmB_(6)的一些重要实验结果,比如电输运测量,角分辨光电子能谱(ARPES),表面形貌分析(STM)等,并论述了如何通过这些关键的实验证据证实SmB_(6)的拓扑近藤绝缘物相。同时,我们也展示了SmB_(6)这一关联电子体系的其他奇异物性,包括中间价态在表面和体内的分离现象,以及量子振荡发现的体振荡信号等等。这些性质表明我们对SmB_(6)这一材料的理解仍然不充分,其中还有更为丰富的物理值得挖掘。

强磁性近藤格子系CeSix磁性—非磁性相变研究

α—ThSi_2型构造的CeSi_X和CeSi_(2-X)Ge_X,随着Si浓度的不同,呈现非磁性——强磁性相变,是属于近藤格子。在该系统中,磁矩如何出现,居理温度在Si临界浓度附近如何变化?本文在Si临界浓度附近,详细研究了比热、磁化率和磁比,从而给出了CeSi_X磁性——非磁性相变的规律。

近藤共振现象及其在低维电子系统中的实现

文章全面、系统地介绍了近藤效应、近藤问题、近藤共振现象的起源和研究历史的发展过程,提供了一个清晰而准确的近藤物理问题的图像.同时,文章还讨论了近年来近藤共振现象在各种低维电子关联系统中的实现.

嵌入单量子点Aharonov-Bohm环中的近藤效应

使用单杂质的Ansderson模型,从理论上研究了一个嵌入单量子点Aharonov Bohm环系统处在近藤区时的基态性质,并用slave boson平均场方法求解了该模型.结果表明在零温,当介观环内电子平均能级间隔大于近藤关联能时,系统内仍然存在一个被减弱了的近藤效应;系统的基态性质依赖于系统的宇称和环的大小;而尺寸效应和近藤屏蔽效应的共存导致了系统丰富的物理性质.同时,可以通过测量介观环中的持续电流和杂质磁化率,达到探测近藤屏蔽云的目的.

嵌入单量子点Aharonov-Bohm环中的尺寸和近藤屏蔽效应

使用单杂质的Ansderson模型,我们从理论上研究了一个嵌入单量子点Aharonov-Bohm环系统处在近藤区时的基态性质,并用slave-boson平均场方法求解了该模型。我们的结果表明:在零温,当介观环内电子平均能级间隔大于近藤关联能时,系统内仍然存在一个被减弱了的近藤效应;系统的基态性质依赖于系统的宇称和环的大小;而尺寸效应和近藤屏蔽效应的共存导致了系统丰富的物理性质。同时,可以通过测量介观环中的持续电流和杂质磁化率,达到探测近藤屏蔽云的目的。

量子点与分子器件中的近藤效应

近藤效应是低温凝聚态物理研究的重要领域,指的是低温下稀磁合金电阻随温度降低而反常增加的多体现象.在量子点系统中,其表现为低温下电导随温度降低而升高.本文重点描述了量子点系统中平衡近藤效应、非平衡近藤效应,以及当单态与三重态发生简并时含有偶数个电子的量子点产生的近藤效应的基本特征和物理原理.并指出基于有机材料的单原子/单分子晶体管为近藤效应的研究提供了全新的途径.

有趣的近藤效应

寻找物质新态是凝聚态物理的重要前沿课题,也是科学家同行们激烈竞争的大舞台。近年来,随着科学技术的飞速发展,诸如拓扑超导态、拓扑绝缘态、外尔半金属态等一系列新物质态不断在实验中被观测到。

串型耦合双量子点之间库仑作用对其近藤共振的影响

从理论上研究了串型耦合双量子点之间库仑作用对其近藤共振的影响.采用非平衡态格林函数和奴役玻色子平均场近似方法求解了系统的哈密顿量;计算了系统电子的态密度、透射率、占居数和近藤温度随双量子点之间库仑作用能的变化,同时也计算了电极处于极化时双量子点之间库仑作用能对系统电子态密度的影响.结果表明,双量子点之间库仑作用能够极大地影响系统的基态物理性质.同时还对相关的物理问题进行了讨论.

量子点中的近藤效应

大块稀磁合金的电阻作为温度的函数在低温下具有一个极小值．１９６４年，近藤从理论上阐明了磁性杂质对传导电子的散射几率随温度下降而增大的起因，“近藤效应”因此而得名．然而，对于量子点，其中与磁性相关的低温输运行为（近藤效应）却表现出许多新特点．在ＧａＡｓ...

填充式方钴矿化合物CeOs_4Sb_(12)近藤相互作用的非弹性中子散射研究

CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3·1meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317K.

吸附位置对分子近藤效应的影响

文章报道了利用低温扫描隧道显微镜观察到磁性分子酞菁铁(iron phthalocyanine,FePc)在金属表面Au(111)上的近藤效应(Kondo effect).从实验上观察到两种由近藤效应引起的不同的Fano共振现象.通过理论模拟和分析,文章作者发现这两种Fano共振分别对应于不同的分子吸附位置.吸附位置不仅影响Fano共振的线型,而且还影响自旋电子的耦合强度,是调控金属表面磁性杂质自旋态的重要途径.

拓扑近藤半金属

拓扑物态是凝聚态物理近年来最重要的研究领域之一。随着研究的不断深入,对拓扑物态的研究逐渐从弱关联材料体系拓展到了强关联材料体系。文章梳理了近年来对拓扑近藤半金属的相关研究,介绍了其中的理论模型、计算方法和一些候选材料及实验研究,并对该方向未来的发展做了展望。

真实的表现力——近藤喜文的作画魅力

本文通过梳理近藤喜文的工作历程及其影响轨迹,展现了近藤喜文作画貌似庸常的视角、对细节的关注以及简洁朴实的技巧和特征,凸显出他对现实世界的真诚描摹,具有很强的艺术魅力。

铁磁体中的近藤效应

近藤效应是指在高电导无磁金属母体（例如：Cu,Au）中磁性杂质原子（例如：Fe,Co,Ni）对传导电子散射几率的增大.它表现为：在某一特征温度TK（所谓近藤（Kondo）温度）以下,稀磁合金的剩余电阻率随温度的降低而反常增大.1964年,近藤从理论上阐明了该效应的形成机制：由于孤立磁性原子与传导电子之间存在RKKY相互作用，