狄拉克半金属候选材料NdSbTe中的巨负磁阻效应

目的:探究狄拉克半金属候选材料NdSbTe单晶样品的新奇量子效应。方法:通过化学气相输运法制备NdSbTe单晶样品,利用X射线衍射对样品的结构进行了表征;利用物性测量系统和磁性测量系统分别测量了NdSbTe的电输运性质和磁性。结果:根据磁化率χ(T)随温度的变化关系可以断定NdSbTe单晶样品在T N≈3.4 K处存在磁相变,通过居里-外斯定律拟合进一步确定NdSbTe单晶在T N处的磁相变为顺磁态向反铁磁态转变。电输运性质测量表明,在不加磁场时,NdSbTe表现出半导体的行为,随着磁场的增加,电阻随温度升高而降低,呈现出巨负磁阻效应。结论:在T=3.4 K,NdSbTe发生了由顺磁态到反铁磁态的相变;在2~100 K范围内,NdSbTe具有巨负磁阻效应,当温度T=2 K、磁场μ0H=8 T时负磁阻最大可以达到-99.7%,该效应可能来源于反铁磁转变与近藤散射。

磁场对重电子金属材料CeCu_(6-x)Cd_x电阻的影响

介绍了重电子金属CeCu6 -xCdx(x=0 10 ,0 15 ,0 2 0 ,0 30 ,0 5 0 )在 1 8— 30 0K温度范围内 ,在磁场 (μ0 H =0 ,5 ,10T)下电阻随温度的变化规律及低温 (1 9,15K)下的磁电阻 (μ0 H =0— 10T) .实验表明所有样品在零场下的Tmax(对应于电阻极大值的温度 )都低于 1 8K .加磁场后 ,Tmax随磁场和掺杂量x的增加明显向高温方向变化 .此外 ,各样品的磁电阻在 1 9K全是负值 ,温度升高到 15K以后 ,磁电阻有变为正值的趋势 .从近藤散射和相干散射的角度对这一现象的物理机制进行了分析 .