EBCMOS电荷收集效率模拟研究

对P型基底均匀掺杂情况下电子轰击有源像素传感器(EBCMOS)的运动轨迹进行了理论模拟研究,依据载流子传输理论并结合蒙特卡罗计算方法,利用数学建模软件MATLAB,模拟了光电子经过光电阴极、近贴区、死层、扩散区、耗尽区中的运动轨迹,并根据最终的电子落点分布,计算出相应的电荷收集效率。通过改变基底掺杂浓度来观察电荷收集效率的变化,并总结了变化原因。本文可以为高性能的EBCMOS器件的研发提供一定的理论依据。