远紫外光谱遥感反演电离层EDP技术

本研究基于美国GUVI观测氧原子135.6nm夜气辉光谱数据,建立了GUVI临边观测模型,采用正则化和牛顿迭代法相结合的方法,消除了权重矩阵的病态问题,得到了峰值电子密度和峰值高度,并结合电离层电子密度的Chapman表达式,反演得到了电离层电子密度剖面.将得到的反演结果与地基方式获取的观测数据进行比较,两者吻合得很好.之后,反演得到了磁暴期2002年9月29日到10月3日的电子密度剖面,初步分析了电离层电子密度剖面随磁暴的变化情况.

吸收多个远紫外光子生成的高次谐波的多重截止结构

本文通过数值求解含时薛定谔方程研究He+在远紫外和红外激光场作用下产生高次谐波的过程.在电子隧穿并从红外激光场获得能量后,其在与母离子碰撞过程中可能吸收额外的远紫外光子,并导致高次谐波中出现以远紫外光子能量为间隔的多重截止结构.我们进一步通过傅里叶频谱分析的方法证实了这一结构产生的物理机制;并分析了高次谐波的多重截止频率强度和远紫外强度的关系.我们的研究为产生高能量谐波提供了一种方案.

紫外、远紫外光刻共用的曝光系统

本文介绍了一种高分辨率、多功能的曝光系统。着重阐述了光学系统设计中对柱体蝇眼透镜组和冷反射镜的考虑，并对与光学系统相匹配的光源、透射材料以及光刻胶作了论述。给出了其实验结果。

远紫外光刻的实验研究

本文介绍了与远紫外光刻有关的光源、抗蚀剂、透射材料和光掩模,详细地阐述了远紫外光刻工艺及其特性。并给出远紫外光刻亚微米级图形的电镜扫描照片结果。

远紫外光刻技术领域CD控制的温度计量方法

从化学增强型抗蚀剂（ＣＡＲ）到抗反射涂层（ＡＲＣ），远紫外（ＤＵＶ）光刻技术需要特殊的温度条件。本文阐述了解决这些问题的方案，讨论了监控及分析生产用抗蚀剂处理设备温度性能的技术；同时说明了检查测试热循环过程中实际的圆片热测量和掩模温度的现场监控。

远紫外光刻技术的发展趋势及进展

至今光刻技术仍是工业用来制作集成电路的优先应用技术.过去光刻的分辨率是靠减小曝光波长和增大透镜的数值孔径来改善的(R=k_1λ/NA).近年来,这种趋势仍然如此.最新介绍的用于批量生产的NA248nm步进/扫描系统及实验生产用的第一代全视场193nm步进/扫描系统可证实这一点.然而,传统的光刻技术不仅变得极其困难、成本高(透镜像差控制.CaF_2材料等问题),而且也不能满足SLA图(半导体集成电路布线图)飞速发展的需要,因为SLA图要求对最小特证尺寸做较快的定标和相应线宽控制.曝光方法的改进再也不能满足行程图的要求.而低的K_1成像和亚波长成像在光刻领域已成为人门争相议论的话题.对于光刻技术来说,分辨率和线宽控制都是人们要努力解决的问题.本文评论了扩展248nm光刻极限的各种方法,讨论了高NA光学元件的作用。

利用单波长激光器构造远紫外光源

用于光学印刷的远紫外光源可以分为两类:一类是用在曝光照明和其他高功率应用,另一类是用在测量工具上.对于曝光的感光材料,平均功率很高的准分子激光器是可选的光源。而对于测量工具,只要求很低的光学功率,因此可通过小功率、单波长的固体激光器来获得,这样就无须处理有毒气体.通常。

极端远紫外光刻的等离子体光源及其光学性质研究进展

现代技术的飞速发展需要集成电路不断小型化,因而开发下一代光刻光源以满足小型化的要求成为当前的一项紧迫任务。目前工业界确定的下一代光刻光源是波长为13.5nm的极端远紫外(EUV)光源,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸,氙和锑材料的等离子体光源被认为是这种光源的最佳候选者。文章在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的和气体放电产生的等离子体EUV光源,对EUV光源的初步应用进行了简单介绍,并着重对氙和锑材料产生的等离子体发射性质和吸收性质的实验与理论研究进展进行了详细介绍与讨论。目前的理论研究进展表明,统计物理模型还不能很好地预测氙和锑等离子体的发射与吸收光谱,因此迫切需要发展细致能级物理模型,以得到更为精确的等离子体光学性质参数,并用于指导实验设计,提高EUV转换效率。

锗等离子体远紫外光谱研究

测量了线聚焦激光加热锗等离子体发射的远紫外光谱，对ＧｅＸＸ－ＧｅＸＸＶＩ谱线进行了辨认和分类。给出了谱线波长和相对强度；计算了辐射跃迁概率和吸收振子强度；并；与其他实验室有关结果进行了比较。

远紫外光谱探测器FUSE

上一期中，我们提到了Astro-1和2上装有用于拍摄天体远紫外光谱的“霍普金斯紫外望远镜”（HUT）。HUT的目的之一，就是为今天将要出场的“远紫外光谱探测器（者）”（Far Ultraviolet Spectroscopic Explorer，简称FUSE，也翻译成“远紫外分光探测器（者）”）做前期测试。

10.6ev真空紫外光源的研制及测试

本文介绍了光子能量为10．6ev真空紫外无极放电灯的工作原理、并对该灯所涉及到的关键材料及工艺的控制进行了探讨，同时也介绍了采用远真空紫外（0-200nm）光电倍增管建立辐射强度对比测试系统的方法。

深紫外和X射线光刻技术

阐述了深紫外光刻技术和Ｘ射线光刻技术的发展，一些相关单元技术，以及深紫外和Ｘ射线光刻技术的前景。

红外线与紫外线

红外发光二极管辐射强度的测量;极端远紫外光刻的等离子体光源及其光学性质研究.

下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。

锡和氙离子在13.5nm波长附近的光谱特性

应用多组态Dirac—Foek方法，系统计算了锡（Sn）和氙（Xe）离子在13．5nm波长附近的辐射跃迁波长和跃迁几率。深入分析了Sn^（7-13）＋和Xe^（7-13）＋离子跃迁的原子光谱特性，研究了相对论效应和电子关联效应对能级位置和跃迁几率的影响发现，相对论效应和电子关联效应对光谱能量的影响分别为2％和5％。并从光谱特性的角度对比讨论了Sn和Xe作为极端远紫外光源的优劣，发现Sn更有优势。

深亚微米光学光刻工艺技术

光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述。

光源掩模协同优化的原理与应用

当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术。

GeⅩⅩ～GeⅩⅩⅥ谱线的测量和辨认

测量了线聚焦激光加热锗等离子体发射的ＸＵＶ光谱，对ＧｅＸＸ～ＧｅＸＸⅥ谱线进行了辨认和分类。给出了谱线波长和相对强度；计算了辐射跃迁几率和吸收振子强度；并与其它实验室有关结果进行了比较。