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深亚微米光学光刻工艺技术
被引量:
2
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作者
谢常青
《电子工业专用设备》
2000年第3期8-12,共5页
光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相...
光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述。
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关键词
移相掩模
光学邻近效应
远紫外光刻胶
对准
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职称材料
题名
深亚微米光学光刻工艺技术
被引量:
2
1
作者
谢常青
机构
中国科学院微电子中心三室
出处
《电子工业专用设备》
2000年第3期8-12,共5页
文摘
光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述。
关键词
移相掩模
光学邻近效应
远紫外光刻胶
对准
Keywords
Phase-shift mask
Optical proximity correction
Deep-UV resist
Alignment
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
深亚微米光学光刻工艺技术
谢常青
《电子工业专用设备》
2000
2
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