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利用单波长激光器构造远紫外光源
1
作者
吕勇辉
《光电子技术与信息》
2002年第6期44-45,共2页
用于光学印刷的远紫外光源可以分为两类:一类是用在曝光照明和其他高功率应用,另一类是用在测量工具上.对于曝光的感光材料,平均功率很高的准分子激光器是可选的光源。而对于测量工具,只要求很低的光学功率,因此可通过小功率、单波长的...
用于光学印刷的远紫外光源可以分为两类:一类是用在曝光照明和其他高功率应用,另一类是用在测量工具上.对于曝光的感光材料,平均功率很高的准分子激光器是可选的光源。而对于测量工具,只要求很低的光学功率,因此可通过小功率、单波长的固体激光器来获得,这样就无须处理有毒气体.通常。
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关键词
光学印刷
单波长激光器
远紫外光源
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职称材料
锡和氙离子在13.5nm波长附近的光谱特性
2
作者
敬秋民
曾思良
+1 位作者
刘晓菊
王建国
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期1551-1555,共5页
应用多组态Dirac—Foek方法,系统计算了锡(Sn)和氙(Xe)离子在13.5nm波长附近的辐射跃迁波长和跃迁几率。深入分析了Sn^(7-13)+和Xe^(7-13)+离子跃迁的原子光谱特性,研究了相对论效应和电子关联效应对能级位置和跃迁几率的...
应用多组态Dirac—Foek方法,系统计算了锡(Sn)和氙(Xe)离子在13.5nm波长附近的辐射跃迁波长和跃迁几率。深入分析了Sn^(7-13)+和Xe^(7-13)+离子跃迁的原子光谱特性,研究了相对论效应和电子关联效应对能级位置和跃迁几率的影响发现,相对论效应和电子关联效应对光谱能量的影响分别为2%和5%。并从光谱特性的角度对比讨论了Sn和Xe作为极端远紫外光源的优劣,发现Sn更有优势。
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关键词
极端
远紫外光源
多组态Dirac—Fock方法
辐射跃迁波长
辐射跃迁几率
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职称材料
光刻技术能否突破极限?
3
作者
天易
《中国军转民》
2001年第12期39-40,共2页
芯片制造业巨头联手攻关 国家实险室担任主角 半导体制造厂商目前在光学光刻技术能力上都在逼近极限,很多厂商争相探寻下一代光刻技术(NGL)系统。由于电子设备业今后健康发展和生命力的关键就在于下一代光刻技术,所以工业上用于研制NGL...
芯片制造业巨头联手攻关 国家实险室担任主角 半导体制造厂商目前在光学光刻技术能力上都在逼近极限,很多厂商争相探寻下一代光刻技术(NGL)系统。由于电子设备业今后健康发展和生命力的关键就在于下一代光刻技术,所以工业上用于研制NGL的耗费很大。总之,要使莫尔定律继续有效。
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关键词
光学光刻技术
下一代光刻技术
极限
国家实验室
光致抗蚀剂
远紫外光源
半导体工业
芯片制造业
反射光栅
半导体制造
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职称材料
题名
利用单波长激光器构造远紫外光源
1
作者
吕勇辉
出处
《光电子技术与信息》
2002年第6期44-45,共2页
文摘
用于光学印刷的远紫外光源可以分为两类:一类是用在曝光照明和其他高功率应用,另一类是用在测量工具上.对于曝光的感光材料,平均功率很高的准分子激光器是可选的光源。而对于测量工具,只要求很低的光学功率,因此可通过小功率、单波长的固体激光器来获得,这样就无须处理有毒气体.通常。
关键词
光学印刷
单波长激光器
远紫外光源
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
锡和氙离子在13.5nm波长附近的光谱特性
2
作者
敬秋民
曾思良
刘晓菊
王建国
机构
中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理国防科技重点实验室
北京应用物理与计算数学研究所
中国科学院等离子体物理研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期1551-1555,共5页
文摘
应用多组态Dirac—Foek方法,系统计算了锡(Sn)和氙(Xe)离子在13.5nm波长附近的辐射跃迁波长和跃迁几率。深入分析了Sn^(7-13)+和Xe^(7-13)+离子跃迁的原子光谱特性,研究了相对论效应和电子关联效应对能级位置和跃迁几率的影响发现,相对论效应和电子关联效应对光谱能量的影响分别为2%和5%。并从光谱特性的角度对比讨论了Sn和Xe作为极端远紫外光源的优劣,发现Sn更有优势。
关键词
极端
远紫外光源
多组态Dirac—Fock方法
辐射跃迁波长
辐射跃迁几率
Keywords
extreme ultraviolet sources
multiconfiguration Dirac-Fock method
radiative transition wavelength
radiative transition probability
分类号
O562 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
光刻技术能否突破极限?
3
作者
天易
出处
《中国军转民》
2001年第12期39-40,共2页
文摘
芯片制造业巨头联手攻关 国家实险室担任主角 半导体制造厂商目前在光学光刻技术能力上都在逼近极限,很多厂商争相探寻下一代光刻技术(NGL)系统。由于电子设备业今后健康发展和生命力的关键就在于下一代光刻技术,所以工业上用于研制NGL的耗费很大。总之,要使莫尔定律继续有效。
关键词
光学光刻技术
下一代光刻技术
极限
国家实验室
光致抗蚀剂
远紫外光源
半导体工业
芯片制造业
反射光栅
半导体制造
分类号
F49 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
利用单波长激光器构造远紫外光源
吕勇辉
《光电子技术与信息》
2002
0
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职称材料
2
锡和氙离子在13.5nm波长附近的光谱特性
敬秋民
曾思良
刘晓菊
王建国
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
3
光刻技术能否突破极限?
天易
《中国军转民》
2001
0
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职称材料
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